[實用新型]電壓感測系統和電壓閾值感測系統

有效

• 申請號: 201820952377.0
• 申請日: 2018-06-20
• 公開（公告）號: CN208580144U
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 卡塔利娜·艾歐納特·彼得羅亞農;A-O·彼得羅亞農;P·倫達克
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王美石;姚開麗

1.一種電壓感測系統，其特征在于，所述電壓感測系統包括：

耦接到基準電流源的高端電流鏡，所述基準電流源耦接到至少一個二極管，所述至少一個二極管耦接到電阻器和比較器；

其中所述電阻器耦接到接地端；并且

其中所述比較器與基準電壓耦接，并且被配置為從所述二極管接收比較電壓并輸出所述比較電壓是否為高于和低于所述基準電壓中的一種情況。

2.根據權利要求1所述的系統，其中所述電流鏡還包括耦接在一起的兩個p溝道金屬氧化物半導體場效應PMOS晶體管。

3.根據權利要求1所述的系統，還包括第二比較器，所述第二比較器與第二基準電壓耦接，并且被配置為從所述二極管接收第二比較電壓并輸出所述第二比較電壓是否為高于和低于所述基準電壓中的一種情況。

4.根據權利要求1所述的系統，其中所述至少一個二極管為齊納二極管。

5.一種電壓感測系統，其特征在于，所述電壓感測系統包括：

第一高端電流鏡，所述第一高端電流鏡包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一高端電流鏡耦接到第一基準電流；

第二高端電流鏡，所述第二高端電流鏡包括第三晶體管和第四晶體管，所述第二高端電流鏡耦接到第二基準電流；

至少一個二極管，所述至少一個二極管耦接在所述第一高端電流鏡與所述第二高端電流鏡之間，所述至少一個二極管耦接到比較器；

其中第一高端電流、第二高端電流和所述至少一個二極管耦接到接地端；

其中所述第二晶體管所通過的電流大于所述第四晶體管所通過的電流；并且

其中所述比較器與基準電壓耦接，并且被配置為從所述二極管接收比較電壓并輸出所述比較電壓是否為高于和低于所述基準電壓中的一種情況。

6.根據權利要求5所述的系統，還包括第五晶體管，所述第五晶體管耦接在所述第二高端電流鏡與所述比較器之間。

7.根據權利要求5所述的系統，其中所述至少一個二極管為齊納二極管。

8.根據權利要求5所述的系統，其中所述第三晶體管的柵極和所述第四晶體管的柵極耦接到所述第三晶體管和所述第四晶體管中的一者的漏極。

9.一種電壓閾值感測系統，其特征在于，所述電壓閾值感測系統包括：

耦接在一起的兩個p溝道金屬氧化物半導體場效應PMOS晶體管，所述兩個PMOS晶體管的柵極耦接到所述兩個PMOS晶體管中的第一者的漏極，所述兩個PMOS晶體管中的所述第一者的所述漏極與恒定電流源耦接，并且所述兩個PMOS晶體管中的第二者的漏極耦接到二極管；

其中所述二極管與比較器的高阻抗輸入耦接，并且耦接到電阻器，所述電阻器耦接到接地端；并且

其中所述比較器被配置為確定耦接到所述兩個PMOS晶體管中的所述第二者的電源電壓是否為高于和低于耦接到所述比較器的另一個高阻抗輸入的基準電壓中的一種情況。

10.根據權利要求9所述的系統，其中所述二極管為齊納二極管。