[實用新型]一種提高原料使用效率的SiC單晶生長裝置

有效

• 申請號: 201820944613.4
• 申請日: 2018-06-19
• 公開（公告）號: CN208308999U
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 廖弘基;張潔;陳華榮
• 申請（專利權）人: 福建北電新材料科技有限公司
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種提高原料使用效率的SiC單晶生長裝置，包括生長腔(1)和石墨軟氈保溫層(4)，其特征在于：所述生長腔(1)的上端連接有密封法蘭(11)，密封法蘭(11)的中心位置連接有測溫窗口(12)，生長腔(1)的外壁上套有感應線圈(2)，生長腔(1)的內部安裝有石墨坩堝(3)，所述石墨軟氈保溫層(4)包括外側石墨軟氈保溫層(41)、底部石墨軟氈保溫層(42)和上部石墨軟氈保溫層(43)，外側石墨軟氈保溫層(41)的兩端分別連接底部石墨軟氈保溫層(42)和上部石墨軟氈保溫層(43)，外側石墨軟氈保溫層(41)包裹石墨坩堝(3)的外壁，底部石墨軟氈保溫層(42)包裹石墨坩堝(3)的外側底部，上部石墨軟氈保溫層(43)的中心位置開設有測溫孔(44)，所述石墨坩堝(3)的上端安裝有石墨蓋(31)，石墨蓋(31)的上表面覆蓋有上部石墨軟氈保溫層(43)，石墨蓋(31)的內側中心位置粘合有籽晶片(5)，石墨坩堝(3)的內部底面中心位置放置有石墨圓柱體(6)，石墨圓柱體(6)一周的石墨坩堝(3)內放置有碳化硅粉末(7)，所述籽晶片(5)的一周連接有阻隔件(8)，阻隔件(8)的下端與石墨坩堝(3)的側壁連接，阻隔件(8)的表面開設有通氣孔(81)，阻隔件(8)將石墨坩堝(3)劃分為晶體生長區(32)和過剩氣體吸收區(33)，過剩氣體吸收區(33)的側壁上粘合有吸收區籽晶(9)。

2.根據權利要求1所述的一種提高原料使用效率的SiC單晶生長裝置，其特征在于：所述測溫窗口(12)與測溫孔(44)上下對應。

3.根據權利要求1所述的一種提高原料使用效率的SiC單晶生長裝置，其特征在于：所述石墨圓柱體(6)的直徑為石墨坩堝(3)內徑尺寸的30％-70％，石墨圓柱體(6)的高度為石墨坩堝(3)高度的20％-40％，石墨圓柱體(6)的表面鍍有碳化鉭、碳化鈮或碳化鎢。

4.根據權利要求1所述的一種提高原料使用效率的SiC單晶生長裝置，其特征在于：所述碳化硅粉末(7)完全覆蓋石墨圓柱體(6)，碳化硅粉末(7)的高度為石墨坩堝(3)高度的一半。

5.根據權利要求1所述的一種提高原料使用效率的SiC單晶生長裝置，其特征在于：所述阻隔件(8)為圓柱臺形的構件。