[實用新型]屏蔽罩懸掛式真空滅弧室

有效

• 申請號: 201820944554.0
• 申請日: 2018-06-19
• 公開（公告）號: CN208352190U
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 張金洲;寇峰
• 申請（專利權）人: 寶雞市晨光真空電器股份有限公司
• 主分類號: H01H33/662
• 分類號: H01H33/662
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 宋秀珍

提供一種屏蔽罩懸掛式真空滅弧室，在瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ為圓筒狀結構且位于瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ之間的固定環與瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ固定連接，所述瓷殼Ⅱ內部的觸頭外側設有屏蔽罩且屏蔽罩上端與固定環固定連接。本實用新型通過將屏蔽罩上端與固定環釬焊固連為一體，去掉傳統瓷殼的內臺階，將屏蔽罩與瓷殼的連接方式設計為懸掛式結構，解決了因屏蔽電極的電子束釋放引起電子雪崩而使得瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ表面帶電的現象，保證瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ沿面耐壓水平，在保證屏蔽罩和電極之間有效距離的情況下，最大化的縮小了瓷殼Ⅱ與屏蔽罩之間的距離，從而縮小了真空滅弧室的外徑，解決了瓷殼Ⅱ因內臺階引發的內應力問題而導致瓷殼Ⅱ開裂報廢的現象，提高了產品的合格率。

技術領域

本實用新型屬于真空開關技術領域，具體涉及一種屏蔽罩懸掛式真空滅弧室。

背景技術

在真空滅弧室中，屏蔽罩不僅具有均壓作用，更為重要的是吸收動、靜觸頭在開斷過程及弧后產生的金屬蒸汽作用。保證弧后介質強度的恢復及瓷殼免受金屬蒸汽的沉積污染，使真空滅弧室在經歷多次短路電流開斷后，仍能保持良好的絕緣性能，通常真空滅弧室屏蔽罩與動、靜觸頭絕緣，其電位是懸浮的，而且有屏蔽罩相對于動、靜觸頭的固定分布電容分布，在真空度較低時，屏蔽罩和觸頭電極之間就會發生放電現象。在較高真空度下，真空滅弧室運行的電極與屏蔽罩之間的等離子濃度很低，因此可以認為離子在擴散向屏蔽罩的過程中，不會發生碰撞和復合，當真空度下降時屏蔽罩與動、靜觸頭之間的帶電離子的擴散運動在一定程度上受影響，帶電離子不易擴散和消失，容易在屏蔽罩和電極之間形成間歇的貫穿通道，放電進入非自持狀態，由于觸頭與屏蔽罩之間是非均勻電場，而且真空滅弧室內最大的電場強度出現在觸頭表面邊緣，隨著真空度的降低，氣體分子的增多，氣體分子在強場區爆發的電離過程，在電場作用下，電子在其奔向陽極的過程中得到加速，動能增加，同時電子在其運動過程中又不斷地和氣體碰撞，形成大量的電子崩，所以電極與屏蔽罩之間的放電電流也隨之增加，伴隨著放電過程，間隙中出現大量的電荷，根據極不均勻電場中電暈放電過程，真空滅弧室電極曲率半徑較大，電暈層很薄，隨著真空度的下降，電暈層不斷擴大，出現強烈的脈沖現象，開始轉入流注形式的電暈放電，最后流注貫穿間隙，導致間隙擊穿，造成真空滅弧室爆炸、燒毀等現象，依據上述情況，在真空滅弧室小型化設計中，不能以減小屏蔽罩和電極之間的有效距離為前提進行設計。

真空滅弧室要實現小型化，主要采取以下措施：①有效利用磁場，縮小真空滅弧室的內部結構；②改進觸頭材料，去除雜質；③優化屏蔽罩結構，提高耐壓性能。實現真空滅弧室小型化設計，針對第三種情況，如圖1所示，現有真空滅弧室采用瓷殼1內臺階與屏蔽罩3釬焊的固定連接方式，在觸頭2處的瓷殼1內壁上設有內臺階，設于屏蔽罩3外圓周壁上的凸臺置于瓷殼1內臺階上后固定，屏蔽罩3的此種結構和與瓷殼1的連接方式，在保證觸頭2與屏蔽罩3內壁之間距離L的情況下，屏蔽罩3外壁與瓷殼1內壁之間間隙較大，不利于真空滅弧室小型化的要求，中間屏蔽結構，因屏蔽電極的電子釋放引起的電子雪崩，使瓷殼1內表面帶電，沿面耐壓水平低，針對上述問題，有必要進行改進。

實用新型內容

本實用新型解決的技術問題：提供一種屏蔽罩懸掛式真空滅弧室，通過在瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ之間固定固定環，并將屏蔽罩上端與固定環釬焊固連為一體，去掉傳統瓷殼的內臺階，將屏蔽罩與瓷殼的連接方式設計為懸掛式結構，解決了因屏蔽電極的電子束釋放引起電子雪崩而使得瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ表面帶電的現象，保證瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ沿面耐壓水平，同時，在保證屏蔽和電極之間有效距離的情況下，最大化的縮小了瓷殼Ⅱ與屏蔽罩之間的距離，從而縮小了真空滅弧室的外徑，解決了瓷殼Ⅱ因內臺階引發的內應力問題而導致瓷殼Ⅱ開裂報廢的現象，提高了產品的合格率。

本實用新型采用的技術方案：屏蔽罩懸掛式真空滅弧室，具有瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ，所述瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ為圓筒狀結構且位于瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ之間的固定環與瓷殼Ⅰ和瓷殼Ⅱ固定連接，所述瓷殼Ⅱ內部的觸頭外側設有屏蔽罩且屏蔽罩上端與固定環固定連接。