[實用新型]一種背鈍化載板有效
| 申請號: | 201820925969.3 | 申請日: | 2018-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN208208736U | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發明(設計)人: | 夏曉祥;丁留偉;吳曉鐘;李漢誠;邱彥凱;李干;王學林;毛建衛 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 載板本體 鍍膜介質 電池片 鈍化 載板 擋條 本實用新型 電池片背面 板狀 合格率 垂直 阻擋 貫穿 | ||
本實用新型公開了一種背鈍化載板,包括板狀的載板本體,載板本體設有多個沿厚度方向貫穿、用以放置電池片的窗口,載板的兩側設有垂直于載板本體、用于防止鍍膜介質與電池片背面接觸的擋條。本實用新型所提供的背鈍化載板通過擋條阻擋沿載板本體邊緣流下的鍍膜介質,避免鍍膜介質與電池片的正面接觸,進而避免繞鍍現象的發生,提高電池片的合格率。
技術領域
本實用新型涉及光伏電池加工技術領域,特別涉及一種背鈍化載板。
背景技術
隨著光伏技術的不斷發展,光伏電池廣泛地應用于各個領域,發電效率是評價光伏電池優劣的重要參數,通過在電池片背面設置鍍層,能夠提高電池片背面的反射率,進而提高其發電效率。這種在電池片背面設置鍍層的加工工藝稱為背鈍化。
現有技術將電池片背面朝上放置在載板上,并在載板上表面加入鍍膜介質,鍍膜介質能夠在電池片的背面產生鍍層。但鍍膜介質能夠從載板的邊緣流入載板下方,并從下方與電池片接觸,在電池片的正面形成鍍層,該現象稱為繞鍍現象。繞鍍現象嚴重影響電池片的合格率,進而影響企業的生產效率、提高企業運營成本。
因此,如何避免繞鍍現象發生,提高電池片的合格率是本領域技術人員急需解決的技術問題。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種背鈍化載板,其能夠避免繞鍍現象發生,提高電池片合格率。
為實現上述目的,本實用新型提供了一種背鈍化載板,包括板狀的載板本體,所述載板本體設有多個沿厚度方向貫穿、用以放置電池片的窗口,所述載板的兩側設有垂直于所述載板本體、用于防止鍍膜介質與電池片背面接觸的擋條。
優選地,所述載板本體呈矩形、且水平設置,所述擋條為兩條、且分別位于載板本體相對兩側的側部下方,兩所述擋條均平行于所述載板本體側邊,兩所述擋條的兩端與所述載板本體另外兩條側邊平齊。
優選地,所述擋條包括沿豎直方向設置的連接部,所述連接部的上部與所述載板本體密封連接,所述連接部的下部沿設有沿水平方向延伸的水平擋板。
優選地,所述載板本體與所述擋條通過螺栓連接,所述載板本體的側部設有沿厚度方向貫穿的通孔,所述連接部設有豎直方向貫穿的沉頭孔。
優選地,所述連接部與所述載板本體的側邊間具有第一預設距離,所述水平擋板靠近所述載板本體邊緣的側邊與所述連接部間具有第二預設距離,所述第二預設距離大于或等于所述第一預設距離。
優選地,所述水平擋板遠離所述載板本體邊緣的側邊與所述連接部間具有第三預設距離,所述第三預設距離大于所述窗口與所述側邊間的最小距離。
優選地,所述擋條為石墨擋條。
優選地,所述擋條與所述載板本體間設有密封墊。
本實用新型所提供的背鈍化載板包括載板本體,載板本體設有用于放置電池片的窗口,電池片背面朝上放置于窗口中。對電池片進行背鈍化時在載板本體上加入鍍膜介質,鍍膜介質能夠在電池片的背面形成鍍層,提高電池片背面的反射率。載板本體的側部還設有擋條,擋條垂直于載板本體,從載板本體的側部阻擋鍍膜介質,避免其進入載板本體的下方,使其無法與電池片的正面接觸,進而避免繞鍍現象的發生,提高電池片的合格率。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型所提供的載板本體的結構示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





