[實用新型]用于電磁屏蔽的鍍膜屏蔽體

有效

• 申請號: 201820921116.2
• 申請日: 2018-06-14
• 公開（公告）號: CN208924564U
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 楊志剛;張志強
• 申請（專利權）人: 珠海市創元電子材料有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;C23C14/20;C23C14/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 楊忠;劉林華

1.一種用于電磁屏蔽的鍍膜屏蔽體，其包括：

基材；

注入到所述基材表面以下一定深度的離子注入層，其與所述基材形成摻雜結構；以及

沉積在所述離子注入層上的導電籽晶層。

2.根據權利要求1所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述基材為片狀的。

3.根據權利要求2所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述基材為剛性的。

4.根據權利要求2所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述基材為柔性的。

5.根據權利要求3所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述基材包含LCP、PTFE、CTFE、FEP、PPE和PBT中的一種。

6.根據權利要求4所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述基材包含PI、PTO、PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PP、PEI、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP和PPA中的一種。

7.根據權利要求3所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述基材的厚度為0.1mm到2mm。

8.根據權利要求4所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述基材的厚度為15μm到180μm。

9.根據權利要求1到8中任一項所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述離子注入層的厚度為5nm到20nm，所述離子注入層上表面與基材上表面齊平。

10.根據權利要求1到8中任一項所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述離子注入層包含Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo和Nb中的一種。

11.根據權利要求1到8中任一項所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述導電籽晶層的厚度為5nm到100nm。

12.根據權利要求1到8中任一項所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述導電籽晶層包含Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、W和Mn中的一種。

13.根據權利要求1到8中任一項所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述鍍膜屏蔽體還包括形成于所述導電籽晶層上的導電加厚層。

14.根據權利要求13所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述導電加厚層的厚度為0.5μm到5μm。

15.根據權利要求13所述的鍍膜屏蔽體，其特征在于，所述導電加厚層包含Ti、Cr、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、W、Mn、Ni、Sn、Pt和Pd中的一種。