[實用新型]一種背照式圖像傳感器有效
| 申請號: | 201820917098.0 | 申請日: | 2018-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN208225881U | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發明(設計)人: | 羅新東 | 申請(專利權)人: | 深圳卓領科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 楊倫 |
| 地址: | 518052 廣東省深圳市南山區深南大道*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電二極管 基板 背照式圖像傳感器 第一導電類型 隔離層 柵電極 高濃度雜質區 本實用新型 基板前表面 介電層 前表面 吸光層 絕緣層 離子注入過程 固定電荷層 導電類型 激光退火 暗電流 背表面 導線層 釘扎層 重摻雜 省略 透射 延伸 覆蓋 吸收 | ||
1.一種背照式圖像傳感器,其特征在于,包括第一導電類型隔離層(3)、具有第一導電類型的基板(1)以及具有第二導電類型的光電二極管(2);
所述光電二極管(2)設置于所述基板(1)內,所述第一導電類型隔離層(3)設置在所述光電二極管(2)與所述基板(1)的前表面之間;
所述基板(1)內還設置有具有第二導電類型重摻雜的高濃度雜質區(4),所述高濃度雜質區(4)與所述光電二極管(2)間隔設置;
所述高濃度雜質區(4)與所述光電二極管(2)之間的基板(1)前表面上設置有柵電極(5),所述柵電極(5)延伸至對應第一導電類型隔離層(3)的基板(1)前表面上,柵電極(5)對應覆蓋光電二極管(2),所述柵電極(5)包括柵氧化層(51)、柵極層(52)和柵極側墻(53);
所述基板(1)的前表面還設置有介電層(6)和導線層(7),所述介電層(6)內設置有吸光層(8);
所述基板(1)的背表面設置有絕緣層(9)和固定電荷層(10)。
2.根據權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器,其特征在于,還包括具有第一導電類型的背釘扎層(11),所述背釘扎層(11)設置在所述光電二極管(2)與所述基板(1)的背表面之間。
3.根據權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器,其特征在于,所述固定電荷層(10)上設置有第二絕緣層(12),所述第二絕緣層(12)上設置有鈍化層(13),所述鈍化層(13)上依次設置有濾光膜層(14)和微透鏡層(15)。
4.根據權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器,其特征在于,所述基板(1)上還設置有裝置隔離區(16)且環繞于所述光電二極管(2)的外圍。
5.根據權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器,其特征在于,所述第一導電類型為P型,第二導電類型為N型;第一導電類型為N型時,第二導電類型為P型。
6.根據權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器,其特征在于,所述介電層(6)和吸光層(8)為一體結構。
7.根據權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器,其特征在于,所述吸光層(8)的材質為碳或者三氧化鉻。
8.根據權利要求7所述的一種背照式圖像傳感器,其特征在于,所述吸光層(8)的材質為石墨。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





