[實用新型]智能砷化鎵高倍聚光熱電聯(lián)產(chǎn)模組

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820916803.5
• 申請日: 2018-06-13
• 公開（公告）號: CN208431966U
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪霜葉;石媚蕾;張登用;張鵬;吳尚友;劉振波;常志強
• 申請（專利權(quán)）人: 汪霜葉
• 主分類號: F24S20/00
• 分類號: F24S20/00;F24S10/00;F24S23/30;F24S23/70;F24S50/40;F24S50/00;H02S40/44;H02S40/22;H02S10/10
• 代理公司: 石家莊科誠專利事務(wù)所(普通合伙) 13113
• 代理人: 張紅衛(wèi);劉麗麗

1.一種智能砷化鎵高倍聚光熱電聯(lián)產(chǎn)模組，其特征在于：包括至少一個外箱、與所述外箱對應(yīng)的至少一組砷化鎵聚光及接收裝置，所述砷化鎵聚光及接收裝置包括設(shè)置在外箱的箱蓋上表面的菲涅爾透鏡以及設(shè)置于菲涅爾透鏡下方箱體內(nèi)的接收器；

所述接收器包括自上而下依次設(shè)置的二次光學(xué)元件、砷化鎵太陽能電池芯片和集熱裝置，所述菲涅爾透鏡、二次光學(xué)元件、砷化鎵太陽能電池芯片的縱向中心軸線在同一直線上，二次光學(xué)元件的下表面在水平面上的投影落在砷化鎵太陽能電池芯片在水平面上的投影之內(nèi)，所述集熱裝置中空且腔體內(nèi)裝導(dǎo)熱介質(zhì)，集熱裝置的內(nèi)部設(shè)置有集熱通道；

所述箱體背板上設(shè)置有電路結(jié)構(gòu)，所述電路結(jié)構(gòu)包括盒體和設(shè)置于盒體內(nèi)的用于測量砷化鎵聚光及接收裝置輸出電壓的電壓測量電路、比對電路、定位裝置，所述電壓測量電路的信號輸出端與比對電路的電壓信號輸入端相連，定位裝置、比對電路與控制中心都是有線連接或者通過無線信號收發(fā)裝置相連，所述比對電路內(nèi)預(yù)置有與自身對應(yīng)的唯一ID。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能砷化鎵高倍聚光熱電聯(lián)產(chǎn)模組，其特征在于：所述砷化鎵太陽能電池芯片與集熱裝置之間設(shè)置有導(dǎo)熱基板。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的智能砷化鎵高倍聚光熱電聯(lián)產(chǎn)模組，其特征在于：所述導(dǎo)熱基板與集熱裝置之間設(shè)置有溫差發(fā)電元件。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的智能砷化鎵高倍聚光熱電聯(lián)產(chǎn)模組，其特征在于：所述二次光學(xué)元件與砷化鎵太陽能電池芯片之間通過光學(xué)膠粘接，所述砷化鎵太陽能電池芯片使用真空回流焊技術(shù)焊接在導(dǎo)熱基板上，所述導(dǎo)熱基板與溫差發(fā)電元件之間通過導(dǎo)熱膠粘接，溫差發(fā)電元件與集熱裝置之間通過導(dǎo)熱膠粘接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的智能砷化鎵高倍聚光熱電聯(lián)產(chǎn)模組，其特征在于：所述導(dǎo)熱基板為三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其上層和下層均為銅覆金材質(zhì)、中間層為Al₂O₃或者Al₂N₃材質(zhì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能砷化鎵高倍聚光熱電聯(lián)產(chǎn)模組，其特征在于：所述外箱為長方體，沿箱體底邊長邊方向設(shè)置有M行、N列砷化鎵聚光及接收裝置，

所述M×N個接收器的電壓輸出端的連接結(jié)構(gòu)為下列兩種結(jié)構(gòu)中的一種，

（一）所述M×N個接收器的電壓輸出端的連接結(jié)構(gòu)為串并聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述串并聯(lián)結(jié)構(gòu)即，每行的N個接收器的電壓輸出端依次串聯(lián)，第一列、第N列各自所包含的M個接收器的電壓輸出端依次串接，所述M×N個接收器的電壓輸出端形成的串并聯(lián)結(jié)構(gòu)的總的輸出端與電壓測量電路的電壓輸入端相連；

（二）所述M×N個接收器的電壓輸出端依次串接；

所述M×N個集熱裝置的腔體的連接結(jié)構(gòu)為下列兩種結(jié)構(gòu)中的一種，

①所述M×N個接收器的集熱裝置的連接結(jié)構(gòu)為串并聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述串并聯(lián)結(jié)構(gòu)即，每行的N個集熱裝置的腔體通過管道依次串接，第一列、第N列各自所包含的M個集熱裝置的腔體分別通過管道依次串接；

②所述M×N個集熱裝置的腔體通過管道依次串接；

所述外箱的數(shù)量為S個，第一外箱～第S外箱的箱體背板上均設(shè)置有總的導(dǎo)熱介質(zhì)的出口和總的導(dǎo)熱介質(zhì)的入口，S個外箱通過各自的總的導(dǎo)熱介質(zhì)的出口和總的導(dǎo)熱介質(zhì)的入口依次串接，S個外箱形成的串接結(jié)構(gòu)的兩端與一個主動泵相連；

所述M≥2，N≥2，S≥2。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能砷化鎵高倍聚光熱電聯(lián)產(chǎn)模組，其特征在于：所述二次光學(xué)元件下表面的形狀與所述砷化鎵太陽能電池芯片光電轉(zhuǎn)換的區(qū)域的形狀相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的智能砷化鎵高倍聚光熱電聯(lián)產(chǎn)模組，其特征在于：所述二次光學(xué)元件分為上部和下部，其上部為自上而下橫截面直徑逐漸變大的球缺/球帶、下部為上大下小的圓錐/圓臺/棱臺；

所述上部與下部一體成型，二者的連接處圓滑過渡，下部外表面鍍有反光材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能砷化鎵高倍聚光熱電聯(lián)產(chǎn)模組，其特征在于：所述菲涅爾透鏡上表面自上而下涂有納米材料制成的減灰膜、減反膜。