[實用新型]立體硅基模式復用器與解復用器有效
| 申請號： | 201820912449.9 | 申請日： | 2018-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN208459627U | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發明（設計）人： | 蔣衛鋒;程方圓;許吉;萬洪丹 | 申請（專利權）人： | 南京郵電大學 |
| 主分類號： | G02B6/12 | 分類號： | G02B6/12;G02B6/132;G02B6/138 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210003 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波導 下層 一側邊界 上層 本實用新型 中間隔離層 解復用器 模式復用 對齊 襯底層 硅基 三維 器件集成度 波導集成 波導結構 二維平面 寬度中心 立體耦合 器件集成 器件結構 三維模式 上下兩層 系統通信 直接耦合 覆蓋層 復用器 復雜度 高階模 下包層 包層 多層 基模 維度 上鋪 錯位 覆蓋 | ||
1.一種立體硅基模式復用器與解復用器，其特征在于，包括：襯底層(1)，在襯底層上設有下包層(2)，在下包層(2)上設有下層波導(4)，在下層波導(4)上鋪設有中間隔離層(6)，在中間隔離層上設有上層波導(3)，在上層波導(3)上覆蓋有上覆蓋層(5)，下層波導(4)的任意一側邊界和上層波導(3)的任意一側邊界對齊，且下層波導(4)和上層波導(3)的波導寬度中心錯位大于0小于5μm。
2.根據權利要求1所述的立體硅基模式復用器與解復用器，其特征在于，下層波導(4)和上層波導(3)左側邊界對齊。
3.根據權利要求1所述的立體硅基模式復用器與解復用器，其特征在于，下層波導(4)和上層波導(3)右側邊界對齊且具有雙向對稱性。
4.根據權利要求1所述的立體硅基模式復用器與解復用器，其特征在于，下層波導(4)和上層波導(3)具有相同高度，不同寬度。
5.根據權利要求1所述的立體硅基模式復用器與解復用器，其特征在于，下層波導(4)包括第一干路波導段(401)、第二干路波導段(402)和第三干路波導段(403)，用于實現不同高階模式復用與解復用；上層波導(3)包括第一輸入波導(301)、第二輸入波導(302)和第三輸入波導(303)；第一輸入波導(301)任意一側邊界與第一干路波導段(401)任意一側邊界對齊，第二輸入波導(302)任意一側邊界與第二干路波導段(402)任意一側邊界對齊，第三輸入波導(303)任意一側邊界與第三干路波導段(403)任意一側邊界對齊；各下層波導(4)排列成排且各下層波導的寬度依其排列順序漸變，并利用錐形波導連接。
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