[實用新型]一種激光芯片端面解理鈍化裝置

有效

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• 申請日: 2018-06-13
• 公開（公告）號: CN208189974U
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設計）人: 王威;安海巖;王俊
• 申請（專利權）人: 武漢銳晶激光芯片技術有限公司
• 主分類號: H01S5/028
• 分類號: H01S5/028;C23C14/26
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 劉杰

本實用新型涉及一種激光芯片端面解理鈍化裝置，包括按樣品處理工藝依次連通的進樣腔、預處理腔、解理腔和鈍化腔，以及用于傳送樣品的第一傳送機構、第二傳送機構和第三傳送機構；進樣腔、預處理腔和第一傳送機構均設置有兩個，進樣腔包括腔體、樣品臺和進樣加熱裝置，通過進樣加熱裝置對樣品進行高溫烘烤，可以去除樣品上依附的空氣中的水汽和雜質，減少外界環(huán)境雜質對真空腔室的污染。第三傳送機構上設置有傳送叉，傳送叉上安裝有多個用于裝夾所述樣品的夾具。通過上述雙套進出樣機構以及多夾具設計，本實用新型提供的激光芯片端面解理鈍化裝置可顯著縮短系列工藝過程中的時間成本，大幅提高源材料使用效率，提升整機使用效率，提高裝置產能。

技術領域

本申請屬于半導體光電子技術領域，具體涉及一種激光芯片端面解理鈍化裝置。

背景技術

半導體激光器在生產和使用中，其光學元件部分會出現退化現象。退化現象會影響半導體激光器的壽命和使用的穩(wěn)定性。為了降低半導體激光器腔面污染給激光器帶來損傷，需要采用激光芯片端面解理鈍化裝置在半導體腔面生成鈍化層。

如圖1所示，現有的激光芯片端面解理鈍化裝置一般包括進樣腔、預處理腔、解理腔和鈍化腔，進樣腔可容納一個樣品臺，樣品臺里裝載規(guī)定數量的激光芯片樣品，預處理腔，作為真空緩沖區(qū)域，解理腔進行解理工藝，鈍化腔進行鈍化工藝。由第一傳送機構將樣品從進樣腔傳送至預處理腔；第二傳送機構將樣品從預處理腔傳送至解理腔；第三傳送機構將樣品從解理腔傳送至鈍化腔。完整工藝流程為樣品從大氣進入進樣腔中，由第一傳送機構傳送至預處理腔，由第二傳送機構傳送至解理腔完成解理工作，由第三傳送機構傳送至鈍化腔完成鈍化工藝，然后原路返回至進樣腔取出處理后的樣品。

現有的激光芯片端面解理鈍化裝置存在以下問題：1、由于端面處理裝置為超高真空處理裝置，樣品從大氣中進入真空環(huán)境中，會破壞端面處理裝置的真空環(huán)境；2、激光芯片端面解理鈍化裝置單次工藝只允許單向傳輸操作，整個產品工藝過程中，需要等待的時間較長。

發(fā)明內容

為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種端面處理裝置，內部真空性好并且處理激光芯片樣品時整個工藝過程中等待時間短。

實現本實用新型目的所采用的技術方案為，一種激光芯片端面解理鈍化裝置，包括按樣品處理工藝依次連通的進樣腔、預處理腔、解理腔和鈍化腔，以及用于傳送所述樣品的第一傳送機構、第二傳送機構和第三傳送機構；所述第一傳送機構設置于所述進樣腔與所述預處理腔中；所述第二傳送機構設置于所述預處理腔與所述解理腔中；所述第三傳送機構設置于所述解理腔與所述鈍化腔中；

所述進樣腔、所述預處理腔和所述第一傳送機構均設置有兩個，所述第二傳送機構設置于兩個所述預處理腔與所述解理腔中；

兩個所述進樣腔結構相同，均包括腔體、樣品臺和進樣加熱裝置；

所述腔體上開設有進樣通口，所述進樣通口上安裝有腔門，所述樣品臺和所述進樣加熱裝置均設置于所述腔體中；

所述第三傳送機構上設置有傳送叉，所述傳送叉上安裝有1個以上用于裝夾所述樣品的夾具，當所述樣品傳送至所述鈍化腔中時，所述傳送叉伸入所述鈍化腔中；

所述鈍化腔中設置有鈍化加熱裝置和蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)源具有1個以上管爐，各管爐上均具有開口，各所述管爐的所述開口的面積之和與所述傳送叉上傳送的所述樣品的面積之和相匹配。

優(yōu)選的，所述激光芯片端面解理鈍化裝置還包括4套抽真空裝置，4套抽真空裝置中：

1套所述抽真空裝置分別連接兩個所述進樣腔；

1套所述抽真空裝置分別連接兩個所述預處理腔；

剩余2套所述抽真空裝置分別與所述解理腔和所述鈍化腔一一對應連接。