[實用新型]基于共振遂穿效應的GaAs基雙色量子阱紅外探測器

有效

• 申請號: 201820908870.2
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN208225887U
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 李寧;鄭元遼;陳平平;李志鋒;楊賀鳴;周玉偉;唐舟;陳效雙;陸衛
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18
• 代理公司: 上海滬慧律師事務所 31311
• 代理人: 郭英

1.一種基于共振遂穿效應的GaAs基雙色量子阱紅外探測器，包括襯底(1)，下電極層(2)，第一量子阱區(3)，共振遂穿區(4)，第二量子阱區(5)，上電極層(6)，金屬電極(7)，其特征在于：

所述的雙色量子阱紅外探測器的結構為：在襯底(1)上依次為下電極層(2)、第一量子阱區(3)、共振遂穿區(4)、第二量子阱區(5)和上電極層(6)，金屬電極(7)分別在下電極層(2)和上電極層(6)上；

所述的襯底(1)為GaAs襯底；

所述的上、下電極層(2、6)為Si重摻雜的GaAs層；

所述的金屬電極(7)為復合金屬電極，靠近電極層一側的為AuGe，再依次為Ni和Au材料；

所述的第一量子阱區(3)為長波單量子阱，其中勢壘層是厚度為40-70nm的Al_xGa_1-xAs層；

所述的共振遂穿區(4)為一層Al_xGa_1-xAs夾在兩層厚度相等的AlAs層之間的共振遂穿結，其中勢壘AlAs層的厚度為2-4nm，勢阱是不摻雜的Al_xGa_1-xAs材料層，其厚度為3-6nm；

所述的第二量子阱區(5)為中波單量子阱，其中勢壘層是厚度為30-60nm的Al_xGa_1-xAs層，阱是2.5-4nm的Si摻雜In_xGa_1-xAs層。