[實用新型]一種異質結太陽能電池有效
| 申請號: | 201820908239.2 | 申請日: | 2018-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN208608214U | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發明(設計)人: | 藍仕虎 | 申請(專利權)人: | 君泰創新(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0725 | 分類號: | H01L31/0725;H01L31/074;H01L31/0352;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 陳丹;張奎燕 |
| 地址: | 100176 北京市大興區亦*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 摻雜層 異質結太陽能電池 透明導電氧化物薄膜 單晶硅片 摻雜區 摻雜 本征 薄膜 導電性 電池效率 短路電流 光透過率 填充因子 電極 申請 電池 保證 | ||
1.一種異質結太陽能電池,其特征在于,所述異質結太陽能電池包括:
單晶硅片;
設置在所述單晶硅片的第一面和第二面上的本征薄膜;
設置在所述單晶硅片的第一面和第二面的所述本征薄膜上的摻雜層;
設置在所述單晶硅片的第一面和第二面的所述摻雜層上的透明導電氧化物薄膜;以及
設置在所述單晶硅片的第一面和第二面的所述透明導電氧化物薄膜上的電極;
其中,所述單晶硅片的第一面和第二面中的至少一面上的所述摻雜層包括不同摻雜濃度的摻雜區,并且所述不同摻雜濃度的摻雜區均與所述透明導電氧化物薄膜相接觸。
2.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池,其中,所述不同摻雜濃度的摻雜區包括A摻雜區和B摻雜區,所述A摻雜區的摻雜濃度小于所述B摻雜區的摻雜濃度,并且所述B摻雜區的位置與所述電極的位置相對應。
3.根據權利要求2所述的異質結太陽能電池,其中,所述A摻雜區設置在所述本征薄膜上并且位于非電極區域,所述B摻雜區設置在所述本征薄膜上并且位于電極區域。
4.根據權利要求2所述的異質結太陽能電池,其中,所述A摻雜區設置在所述本征薄膜上,所述B摻雜區設置在所述A摻雜區上并且位于電極區域。
5.根據權利要求2所述的異質結太陽能電池,其中,在所述異質結太陽能電池的第一面上,所述A摻雜區設置在所述異質結太陽能電池的本征薄膜上并且位于非電極區域,所述B摻雜區設置在所述本征薄膜上并且位于電極區域;和/或在所述異質結太陽能電池的第二面上,所述A摻雜區設置在所述異質結太陽能電池的本征薄膜上,所述B摻雜區設置在所述A摻雜區上并且位于電極區域。
6.根據權利要求2-5中任一項所述的異質結太陽能電池,其中,所述A摻雜區和所述B摻雜區均為n型摻雜區;或者,所述A摻雜區和所述B摻雜區均為p型摻雜區。
7.根據權利要求2-5中任一項所述的異質結太陽能電池,其中,所述A摻雜區的厚度為1~15nm,所述B摻雜區的厚度為1~25nm。
8.根據權利要求2-5中任一項所述的異質結太陽能電池,其中,所述摻雜層為非晶硅摻雜層或者微晶硅摻雜層。
9.根據權利要求1-5中任一項所述的異質結太陽能電池,其中,所述本征薄膜的厚度為1~20nm。
10.根據權利要求1-5中任一項所述的異質結太陽能電池,其中,所述單晶硅片的厚度為50~300μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





