[實用新型]補償電路、功率因數校正電路和開關電源

有效

• 申請號: 201820907410.8
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN208285217U
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 周興
• 申請（專利權）人: 廣州視源電子科技股份有限公司
• 主分類號: H02M1/42
• 分類號: H02M1/42
• 代理公司: 北京恒博知識產權代理有限公司 11528
• 代理人: 范勝祥

本實用新型涉及電源領域。為了解決目前PFC電路MOS管選型困難、成本高的問題，本實用新型實施例提供了一種補償電路、功率因數校正電路和開關電源，其中，補償電路包括電壓輸入接口、采樣單元、開關單元和補償單元，所述電壓輸入接口與所述采樣單元連接；所述采樣單元與開關單元連接，用于檢測所述輸入電壓；所述開關單元與所述補償單元連接，所述開關單元根據所述輸入電壓的大小而接通或斷開；所述補償單元包括補償端，所述補償單元用于當所述開關單元接通時，對與所述補償端連接的電路進行補償。本實用新型降低了高壓下的開關頻率，實現了更優的器件選型，可以選擇更小規格的MOS管，大幅地降低了成本。

技術領域

本實用新型涉及電源領域，具體而言，涉及一種補償電路、功率因數校正電路和開關電源。

背景技術

本申請對于背景技術的描述屬于與本申請相關的相關技術，僅用于說明和便于理解本申請的內容，不應理解為申請人明確認為或推定申請人認為是本申請在首次提出申請的申請日的現有技術。

功率因數是指有效功率與總耗電量之間的關系，也就是有效功率除以總耗電量的比值。功率因數是用來衡量用電設備用電效率的參數，低功率因數代表低電力效能。為了提高用電設備功率因數的技術就稱為PFC(Power Factor Correction，功率因數校正)。

目前反激、單級PFC電路在高壓輸入時，金屬-氧化物-半導體場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET，以下簡稱MOS管)開關損耗大，導致MOS管溫升高，MOS管選型困難、成本高。

實用新型內容

為了解決目前PFC電路MOS管選型困難、成本高的問題，本實用新型實施例提供了一種補償電路、功率因數校正電路和開關電源，降低了高壓下的開關頻率，實現了更優的器件選型，MOS管的規格可以選擇更小，大幅地降低了成本。

第一方面，本實用新型實施例提供了一種補償電路，包括電壓輸入接口、采樣單元、開關單元和補償單元，所述電壓輸入接口與所述采樣單元連接，用于接收輸入電壓；所述采樣單元與開關單元連接，用于檢測所述輸入電壓，將所述輸入電壓輸送至所述開關單元；所述開關單元與所述補償單元連接，所述開關單元根據所述輸入電壓的大小而接通或斷開；所述補償單元包括補償端，所述補償單元用于當所述開關單元接通時，對與所述補償端連接的電路進行補償。

優選地，還包括控制單元，所述控制單元包括第一端和第二端，所述控制單元的第二端通過所述采樣單元與所述開關單元連接；所述控制單元用于當所述第一端為低電平時，控制所述開關單元斷開，且當所述第一端為高電平時，所述控制單元停止工作。

優選地，所述開關單元包括MOS管Q1；所述補償單元包括電容C2；所述MOS管Q1的漏極連接至所述電容C2的一端，所述電容C2的另一端連接至所述補償端；所述MOS管Q1的源極接地；在所述采樣單元中，電阻R1的一端連接至所述電壓輸入接口，電阻R1的另一端連接至電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接至電容C1的一端、電阻R3的一端和所述MOS管Q1的柵極；所述電容C1的另一端和所述電阻R3的另一端接地。

優選地，所述控制單元包括PNP三極管Q4，所述PNP三極管Q4的發射極連接至所述電阻R1的一端和所述電阻R2的一端，所述PNP三極管Q4的基極連接至所述第一端，所述PNP三極管Q4的集電極接地。

第二方面，本實用新型實施例提供了一種功率因數校正電路，包括頻率設定電路和上述任一項所述的補償電路，所述頻率設定電路的補償端與所述補償電路的補償端連接。