[實用新型]一種變頻器的IGBT模塊布線結構有效
| 申請號: | 201820899372.6 | 申請日: | 2018-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN208508772U | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 張學峰;許衍庭;楊丹萍 | 申請(專利權)人: | 浙江易控電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/00 | 分類號: | H02M1/00 |
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| 地址: | 314000 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 插針 金屬連線 本實用新型 布線結構 變頻器 電容 驅動 輸出 沿寬度方向 原有的 兩組 占用 應用 | ||
本實用新型涉及一種變頻器的IGBT模塊布線結構,包括IGBT模塊和PCB板,兩個IGBT模塊通過插針設置在PCB板上,兩個IGBT模塊相對一側的插針分別通過PCB板內的金屬連線連接到輸出U端口、輸出V端口和輸出W端口,IGBT模塊另一側的插針分別通過PCB板內的金屬連線連接到驅動U端口、驅動V端口和驅動W端口,IGBT模塊沿寬度方向分布的兩組插針分別通過PCB板內的金屬連線連接到電容N端口和電容P端口。本實用新型提供一種新的IGBT模塊,使得IGBT模塊部分整體結構簡單、應用方便、占用PCB面積小,解決了原有的干擾大,信號不穩定的特點。
技術領域
本實用新型涉及一種變頻器的六單元IGBT模塊布線結構。
背景技術
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是 80 年代中期問世的一種復合型電力電子器件,從結構上說,相當于一個由MOSFET (MetalOxideSemiconductor Field Effect Transistor,金屬-氧化物-半導體場效晶體管)驅動的厚基區的BJT (Bipolar Junction Transistor,雙極結型晶體管),IGBT既有MOSFET的快速響應、高輸入阻抗、熱穩定性好、驅動電路簡單的特性,也具備BJT的電流密度高、通態壓降低,耐壓高的特性,被廣泛應用于電力電子設備中。IGBT模塊的開通/關斷是通過驅動模塊實現的,驅動模塊上的控制IC(Integrated Circuit,集成電路)控制電源向IGBT模塊供電或者控制電源停止對IGBT模塊供電,從而使得IGBT模塊在電路中處于導通或者斷開狀態,即實現了 IGBT模塊的工作。
現有技術中這部分電路存在問題:由圖1中可見現有IGBT電路復雜,多數采用分離元件,IGBT模塊的連接方式為銅條連接,造成結構復雜,占用機箱面積大,并且整機干擾大,信號傳輸不穩定,且工藝成本高,不利于機箱整體結構優化,造成整體材料與空間的浪費。
發明內容
為了解決上述的技術問題,本實用新型的目的是提供一種變頻器的IGBT模塊布線結構,該結構設計合理,性能穩定可靠,能提升變頻器的整體性能。
為了實現上述目的,本實用新型采用了以下的技術方案:
一種變頻器的IGBT模塊布線結構,包括IGBT模塊和PCB板,兩個IGBT模塊通過插針設置在PCB板上,所述IGBT模塊整體呈長方體, IGBT模塊下端面上沿長度方向的兩側每側各分布三組插針,IGBT模塊下端面上沿寬度方向的任意一側上分布有兩組插針,兩個IGBT模塊相對一側的插針分別通過PCB板內的金屬連線連接到輸出U端口、輸出V端口和輸出W端口,IGBT模塊另一側的插針分別通過PCB板內的金屬連線連接到驅動U端口、驅動V端口和驅動W端口,IGBT模塊沿寬度方向分布的兩組插針分別通過PCB板內的金屬連線連接到電容N端口和電容P端口。
作為優選方案:所述IGBT模塊沿長度方向設置的三組插針之間的間距相同, IGBT模塊沿寬度方向設置的兩組插針之間留有間隙,且兩組插針位于IGBT模塊寬度方向側的中部。
本實用新型提供一種新的IGBT模塊,其將原有的IGBT模塊集成改進并且通過插針連接在電路板上,取消了原先通過銅件連接的方式,使得IGBT模塊部分整體結構簡單、應用方便、占用PCB面積小,解決了原有的干擾大,信號不穩定的特點。
實用新型與現有技術相比,具有以下優點和效果: 結構簡單,性能可靠,對于整個變頻器電路的結構更加合理,驅動電路為常用規格,無需更改,減少了電路所耗費的時間。本實用新型的模塊連接方式簡單可靠,集成化程度高,通過插針連接到電路板的方式,大大增加了電路連接的可靠性,并且極大的減少了電路連接的干擾,使得信號傳遞更加的穩定可靠,減少了電磁干擾等一系列的問題。
附圖說明
圖1為原有的IGBT模塊連接方式
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





