[實用新型]超接面半導體結構與具有其的金氧半導體元件有效
| 申請號： | 201820896687.5 | 申請日： | 2018-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN208478344U | 公開（公告）日： | 2019-02-05 |
| 發明（設計）人： | 陳勁甫 | 申請（專利權）人： | 力祥半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 吳志紅;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 彎角 摻雜區 金氧半導體元件 半導體結構 接面 末端部 外延層 基底 本實用新型 內側弧面 終端 與非 擊穿電壓 配置 環繞 | ||
1.一種超接面半導體結構，其特征在于，包括：
基底，定義有彎角區與非彎角區；
外延層，配置在所述基底上；
終端摻雜區，環繞所述彎角區與所述非彎角區，且所述終端摻雜區具有面向所述彎角區的內側弧面；以及
多個條狀摻雜區，配置在所述彎角區的所述外延層中，每一個所述條狀摻雜區具有末端部，每一個所述末端部面向所述內側弧面，且至少部分的所述多個末端部具有不同彎曲角度。
2.根據權利要求1所述的超接面半導體結構，其特征在于，所述多個條狀摻雜區分別具有端面，其與所述內側弧面之間具有相等距離。
3.根據權利要求1所述的超接面半導體結構，其特征在于，所述多個條狀摻雜區分別具有端面，所述內側弧面與所對應的端面具有相同的曲率。
4.根據權利要求1所述的超接面半導體結構，其特征在于，每一個所述多個條狀摻雜區包括本體部與所述末端部，所述末端部朝著所述內側弧面彎曲。
5.根據權利要求4所述的超接面半導體結構，其特征在于，所述多個本體部之間的第一距離大于或等于所述多個末端部之間的第二距離。
6.根據權利要求5所述的超接面半導體結構，其特征在于，所述多個末端部之間的所述第二距離大于所述多個條狀摻雜區的多個端面與所述內側弧面之間的第三距離。
7.根據權利要求1所述的超接面半導體結構，其特征在于，所述多個條狀摻雜區彼此分離。
8.根據權利要求1所述的超接面半導體結構，其特征在于，所述終端摻雜區與所述多個條狀摻雜區具有相同的導電型，而所述終端摻雜區與所述外延層具有不同的導電型。
9.一種金氧半導體元件，其特征在于，包括：
如權利要求1所述的超接面半導體結構；以及
多個電極結構，配置于所述超接面半導體結構的上方，其中所述多個電極結構的延伸方向與所述多個條狀摻雜區的延伸方向相同。
10.一種金氧半導體元件，其特征在于，包括：
如權利要求1所述的超接面半導體結構；以及
多個溝槽電極結構，分別配置于所述多個條狀摻雜區之間。
11.一種金氧半導體元件，其特征在于，包括：
如權利要求1所述的超接面半導體結構；以及
多個溝槽電極結構沿著第一方向延伸，所述多個條狀摻雜區沿著第二方向延伸，其中所述第一方向與所述第二方向相交。
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