[實用新型]一種多包層彎曲損耗不敏感單模光纖

有效

• 申請號: 201820895166.8
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN208239660U
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 李代軍;陳劍;李慶國;陳海斌;孫可元;吳雯雯;陳強
• 申請（專利權）人: 成都富通光通信技術有限公司
• 主分類號: G02B6/028
• 分類號: G02B6/028;G02B6/036;C03B37/025
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王學強;羅滿

本實用新型公開一種多包層彎曲損耗不敏感單模光纖，包括芯層和包層，芯層的折射率呈中心低外側高的凹陷形分布，設置在芯層外部的包層由內而外依次是內包層、下陷包層和外包層，芯層的折射率高于內包層、下陷包層和外包層的折射率，所述內包層的折射率沿著徑向由內向外逐漸降低，下陷包層為摻氟層，下陷包層的折射率低于內包層和外包層。本實用新型通過優化光纖的折射率剖面結構，使光纖不僅具有更低的彎曲附加損耗，而且具有穩定的機械性能和均勻的材料組成，保持有效模場直徑和彎曲性能，減小下陷包層的厚度和下陷深度，從而有效減少摻氟量，降低工藝控制難度和制造成本。

技術領域

本實用新型涉及用于光纖技術領域，尤其涉及一種多包層彎曲損耗不敏感單模光纖。

背景技術

隨著光纖到戶的逐漸普及，彎曲不敏感光纖受到了越來越多的關注，按照是否與G.652光纖兼容的原則，將G.657光纖劃分成了A大類和B大類光纖，同時按照最小可彎曲半徑的原則，將彎曲等級分為1，2，3三個等級，其中1對應10mm最小彎曲半徑，2對應7.5mm最小彎曲半徑，3對應5mm最小彎曲半徑。結合這兩個原則，將G.657光纖分為了四個子類，G.657.A1、G.657.A2、G.657.B2和G.657.B3光纖。彎曲損耗不敏感單模光纖能夠有效抑制由在長波長區的宏彎損耗引起的附加衰減，不僅支持L波段的傳輸應用，同時易于在諸如光纖接續盒等小尺寸光器件內進行布線安裝，能完全滿足彎曲半徑較小的光纜和小尺寸的光器件對于彎曲性能的特殊需求。

現有具有下陷外包層的4層結構彎曲損耗不敏感單模光纖在得到符合標準的模場直徑、截止波長等參數的情況下，其折射率剖面結構需要很低的下陷包層折射率來控制彎曲損耗，從而導致摻氟量較大，增加了工藝控制難度，制造成本高。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題和提出的技術任務是對現有技術進行改進，提供一種多包層彎曲損耗不敏感單模光纖，解決目前技術中的彎曲損耗不敏感單模光纖的折射率剖面結構需要很低的下陷外包層折射率，摻氟量大，工藝控制難度大，制作成本高的問題。

為了便于理解，定義如下術語：

折射率剖面：光纖或光纖預制棒(包括芯棒)玻璃折射率與其半徑之間的關系；

相對折射率差值：Δi＝(ni-n0)/n0，ni對應光纖各部分的折射率，n0為純二氧化硅玻璃折射率。

為解決以上技術問題，本實用新型的技術方案是：

一種多包層彎曲損耗不敏感單模光纖，包括芯層和包層，其特征在于，所述芯層的折射率呈中心低外側高的凹陷形分布，設置在芯層外部的包層由內而外依次是內包層、下陷包層和外包層，所述芯層的折射率高于內包層、下陷包層和外包層的折射率，所述內包層的折射率沿著徑向由內向外逐漸降低，下陷包層為摻氟層，下陷包層的折射率低于內包層和外包層。本實用新型所述的多包層彎曲損耗不敏感單模光纖通過優化光纖的折射率剖面結構，使光纖不僅具有更低的彎曲附加損耗，而且具有穩定的機械性能和均勻的材料組成，保持有效模場直徑和彎曲性能。芯層的折射率呈凹陷結構，并且內包層采用沿著徑向由內向外折射率逐漸降低的結構，通過調整內包層折射率的變化傾斜度和內包層的厚度來改變光纖的模場直徑與截止波長，使光纖滿足ITU-T G.657.B3標準，從而使得下陷包層下陷深度可以減小(下陷包層的相對折射率差值向零靠近)、下陷包層的厚度減薄，也就是可以減少下陷包層的摻氟量，減少了下陷包層在光纖截面中的比重，減少下陷包層的沉積加工量，由此降低了工藝控制難度，提高了光纖預制棒的加工效率，降低了光纖的制造成本。

進一步的，所述內包層的直徑與芯層直徑的比值為4～5，所述下陷包層直徑與芯層直徑的比值為4～8?？刂苾劝鼘?、下陷包層與芯層的厚度相對關系，在滿足光纖性能的前提下加寬了內包層的厚度，減小下陷包層的厚度和下陷深度，從而有效減少摻氟量，降低工藝控制難度和生產制造成本。