[實(shí)用新型]一種高功率射頻開關(guān)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820888986.4 | 申請日： | 2018-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN208445536U | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京國博電子有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/081 | 分類號： | H03K17/081;H03K17/00;H03K17/10 |
| 代理公司： | 南京君陶專利商標(biāo)代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 并聯(lián)單元 變壓器單元 控制信號端口 射頻輸出信號 高功率射頻 初級線圈 串聯(lián)單元 次級線圈 負(fù)極接地 控制信號 正極連接 多刀多擲開關(guān) 射頻輸出端口 射頻輸入信號 本實(shí)用新型 輸出端連接 輸入端連接 單刀 反相信號 廣闊應(yīng)用 控制端口 輸出功率 接地 控制端 匝數(shù)比 減小 施加 靈活 拓展 應(yīng)用 | ||
1.一種高功率射頻開關(guān)，其特征是包括串聯(lián)單元，變壓器單元和并聯(lián)單元，其中串聯(lián)單元的輸入端連接RFin射頻輸入信號端口，串聯(lián)單元的控制端連接VC控制信號端口，串聯(lián)單元的輸出端連接RFout射頻輸出信號端口；變壓器單元的初級線圈正極i+連接RFout射頻輸出信號端口，變壓器單元的初級線圈負(fù)極i-連接至地，變壓器單元的次級線圈正極o+連接并聯(lián)單元a端口，變壓器單元的次級線圈負(fù)極o-連接至地；并聯(lián)單元的控制端口連接VCF控制信號端口，并聯(lián)單元b端口連接至地；所述VC控制信號和VCF控制信號是一對反相信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率射頻開關(guān)，其特征是所述串聯(lián)單元包括M1晶體管和R1電阻；其中，M1晶體管的源極連接RFin射頻輸入端口，M1晶體管的漏極連接RFout射頻輸出端口，M1晶體管的柵極連接R1電阻的A端；R1電阻的B端連接VC控制信號端口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率射頻開關(guān)，其特征是所述變壓器單元包括T1變壓器；T1變壓器的初級線圈正極i+連接RFout射頻輸出端口，T1變壓器的初級線圈負(fù)極i-連接至地，T1變壓器的次級線圈正極o+連接并聯(lián)單元a端口，T1變壓器的次級線圈負(fù)極o-連接至地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率射頻開關(guān)，其特征是所述并聯(lián)單元包括M2晶體管，R2電阻；其中M2晶體管的漏極連接變壓器單元的次級線圈正極o+，M2晶體管的柵極連接R2電阻的A端，M2晶體管的源極連接至地；R2電阻的B端連接VCF控制信號端口。
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