[實(shí)用新型]高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路、浮地驅(qū)動(dòng)電路和高壓柵極源極驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820880209.5
• 申請(qǐng)日: 2018-06-07
• 公開（公告）號(hào): CN208608890U
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳玉強(qiáng);黃朝剛;李劍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泉芯電子技術(shù)（深圳）有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/088
• 分類號(hào): H02M1/088
• 代理公司: 深圳市惠邦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44271
• 代理人: 滿群

1.一種共用輸入電容的高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，該電路包括有芯片和外圍電路，所述芯片包括有穩(wěn)壓電路和驅(qū)動(dòng)電路，所述外圍電路包括有負(fù)載和其他外圍；其特征在于，所述穩(wěn)壓電路接地，并通過芯片的AVIN引腳連接輸入電壓VIN，所述驅(qū)動(dòng)電路通過VDD引腳連接所述穩(wěn)壓電路，所述VDD引腳還通過CVDD電容接地；所述驅(qū)動(dòng)電路連接有脈沖信號(hào)VPULSE、接地和通過芯片DVIN引腳連接輸入電壓VIN，并通過驅(qū)動(dòng)脈沖DRV連接開關(guān)管M0的柵極；所述開關(guān)管M0的源極接地，所述開關(guān)管M0的漏極通過所述負(fù)載和其他外圍連接輸入電壓VIN；所述輸入電壓VIN通過外部電容CVIN接地。

2.如權(quán)利要求1所述的共用輸入電容的高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路包括有MOS管低壓驅(qū)動(dòng)電路，所述低壓驅(qū)動(dòng)電路連接有脈沖信號(hào)VPULSE、供電電壓VDD、MOS管MH0的柵極、MOS管ML0的柵極和接地，所述MOS管MH0的漏極連接芯片DVIN引腳，所述MOS管ML0的源極接地，所述MOS管MH0的源極和所述MOS管ML0的漏極相連并連接有驅(qū)動(dòng)脈沖DRV。

3.如權(quán)利要求1所述的共用輸入電容的高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路包括有三極管低壓驅(qū)動(dòng)電路，所述低壓驅(qū)動(dòng)電路連接有脈沖信號(hào)VPULSE、供電電壓VDD、三極管QH0的基極、三極管QL0的基極和接地，所述三極管QH0的集電極連接芯片DVIN引腳，所述三極管QL0的發(fā)射極接地，所述三極管QH0的發(fā)射極和所述三極管QL0的集電極相連并連接有驅(qū)動(dòng)脈沖DRV。

4.一種共用輸入電容的高壓柵極浮地驅(qū)動(dòng)電路，該電路包括有芯片和外圍電路，所述芯片包括有穩(wěn)壓電路和驅(qū)動(dòng)電路，所述外圍電路包括有負(fù)載和其他外圍；其特征在于，所述穩(wěn)壓電路接浮地，并通過芯片AVIN引腳連接輸入電壓VIN，所述驅(qū)動(dòng)電路通過VDD引腳連接所述穩(wěn)壓電路，所述VDD引腳還通過CVDD電容接浮地；所述驅(qū)動(dòng)電路連接有脈沖信號(hào)VPULSE、接浮地和通過芯片DVIN引腳連接輸入電壓VIN，并通過驅(qū)動(dòng)脈沖DRV連接有開關(guān)管M0的柵極；所述開關(guān)管M0的漏極連接輸入電壓VIN；所述開關(guān)管M0的源極連接有所述芯片VSS引腳并接浮地，所述開關(guān)管M0的源極還通過所述負(fù)載和其他外圍連接有外部電容CVIN的一端，所述外部電容CVIN的另一端連接所述輸入電壓VIN，所述外部電容CVIN與所述負(fù)載和其他外圍之間接地。

5.一種共用輸入電容的高壓柵極源極驅(qū)動(dòng)電路，該電路包括有芯片和外圍電路，所述芯片包括有穩(wěn)壓電路和驅(qū)動(dòng)電路，所述外圍電路包括有負(fù)載和其他外圍；其特征在于，所述穩(wěn)壓電路接地和通過芯片AVIN引腳連接輸入電壓VIN，并通過VCC引腳連接有MOS管MH的柵極，所述穩(wěn)壓電路通過VDD引腳連接所述驅(qū)動(dòng)電路，所述VDD引腳還通過CVDD電容接地；所述驅(qū)動(dòng)電路連接有脈沖信號(hào)VPULSE、輸入電壓VIN和接地，并通過驅(qū)動(dòng)脈沖DRV連接有開關(guān)管M0的柵極；所述開關(guān)管M0的源極接地，所述開關(guān)管M0的漏極連接所述MOS管MH的源極，所述MOS管MH的漏極通過所述負(fù)載和其他外圍連接輸入電壓VIN；所述輸入電壓VIN通過外部電容CVIN接地。