[實用新型]帶多量子阱緩沖層的PHEMT低噪聲放大器外延結構有效

申請號：	201820880048.X	申請日：	2018-06-07
公開（公告）號：	CN209071337U	公開（公告）日：	2019-07-05
發明（設計）人：	蔣建	申請（專利權）人：	新磊半導體科技（蘇州）有限公司
主分類號：	H01L29/778	分類號：	H01L29/778;H01L29/06
代理公司：	北京思海天達知識產權代理有限公司 11203	代理人：	沈波
地址：	215151 江蘇省蘇州市蘇州高新***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	低噪聲放大器緩沖層多量子阱外延結構本實用新型溝道載流子空間隔離層下勢壘層噪聲系數半絕緣常規的高摻雜溝道層勢壘層小電流有效地阻斷層襯底夾斷帽層摻雜腐蝕
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【權利要求書】：

1.帶多量子阱緩沖層的PHEMT低噪聲放大器外延結構，其特征在于：該結構包括GaAs半絕緣襯底(1)、GaAs-AlGaAs多量子阱緩沖層(2)、AlGaAs下勢壘層(3)、InGaAs溝道層(4)、AlGaAs空間隔離層(5)、摻SiAlGaAs勢壘層(6)、AlAs腐蝕阻斷層(7)和GaAs高摻雜帽層(8)；

在GaAs半絕緣襯底(1)上依次生長GaAs-AlGaAs多量子阱緩沖層(2)、AlGaAs下勢壘層(3)、InGaAs溝道層(4)、AlGaAs空間隔離層(5)、摻SiAlGaAs勢壘層(6)、AlAs腐蝕阻斷層(7)、GaAs高摻雜帽層(8)。

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