[實用新型]基板處理系統及基板處理裝置

有效

• 申請號: 201820876979.2
• 申請日: 2018-06-07
• 公開（公告）號: CN208589417U
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 蔡熙成;崔光洛;權寧奎
• 申請（專利權）人: 凱斯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/304
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

本實用新型涉及基板處理系統及基板處理裝置，所述基板處理系統用于對前表面形成有圖案(pattern)或膜(layer)且后表面未形成圖案或膜的基板進行處理，包括對基板前表面進行研磨工序和對基板后表面進行研磨工序的研磨部。由此，本實用新型具有進一步提高半導體封裝件的集成度，在利用了光的后續工序中提高精密度的效果。

技術領域

本實用新型涉及基板處理系統及基板處理裝置，更具體而言，涉及一種能夠研磨未形成圖案(pattern)或膜(layer)的基板后表面和形成有圖案或膜的基板前表面的基板處理系統。

背景技術

半導體元件由微細的電路線高密度集成而制造，因此，在基板表面進行與此相應的精密研磨。為了更精密地進行基板的研磨，進行機械式研磨與化學式研磨并行的化學機械式研磨工序(CMP工序)。

即，對基板進行平坦研磨工序，進行精巧的研磨層厚度控制，以貼裝微細元件的形態制造半導體封裝件。

以往，用于制造半導體封裝件的基板，進行形成圖案或膜的前表面的研磨工序。但是，只在基板前表面進行研磨工序的情況下，在制造層疊形態的半導體封裝件方面，由于層疊高度不固定，因而被指出在提高集成度方面存在界限。

特別是在研磨工序之后進行的曝光工序中，由于基板后表面的凸凹，基板微微傾斜地放置，因而基板與掩模的定位狀態發生錯誤，引起難以形成準確圖案的問題。

另外，在用光橫向貫通的基板來制造半導體封裝件的情況下，由于后表面的粗糙不平的凸凹，照射于基板的光被后表面的凸凹散射，存在蝕刻部位的邊界不夠清晰的問題。

因此，迫切需要一種消除如上所述的半導體封裝件的制造工序問題的方案。

實用新型內容

所要解決的技術問題

本實用新型目的在于，提供一種能夠研磨未形成圖案(pattern)或膜(layer)的基板后表面和形成有圖案或膜的基板前表面的基板處理系統及基板處理裝置。

另外，本實用新型目的在于，可以在基板研磨后，提高工序(例如，曝光工序)中的穩定性及可靠性。

另外，本實用新型目的在于，可以去除基板后表面殘留的異物，可以使異物導致的二次污染實現最小化。

另外，本實用新型目的在于，可以簡化結構，提高設計自由度。

另外，本實用新型目的在于，可以提高研磨效率及清洗效率，可以提高收率。

另外，本實用新型目的在于，可以在進行基板的研磨工序之前一次性去除存在于基板的異物，防止研磨工序時因異物導致的基板損傷。

另外，本實用新型目的在于，即使變更或不追加原有設備布局，且不降低工序效率，也可使殘留于基板的異物實現最小化。

解決技術問題的方案

根據旨在達成所述本實用新型目的的本實用新型優選實施例，對前表面形成有圖案(pattern)或膜(layer)且在后表面未形成圖案或膜的基板進行處理的基板處理系統，包括對基板前表面進行的研磨工序和對基板后表面進行的研磨工序的研磨部，由此，能夠提高半導體封裝件的集成度，能夠進一步提高利用了光的后續工序中的精密度。

作為參考，本說明書及權利要求書中記載的“前表面”字樣的術語，定義為表示形成有氧化物、金屬等圖案或膜的一側的表面，“后表面”字樣的術語定義為表示未形成圖案或膜的“前表面的相反側表面”。

另外，在本實用新型中，所謂基板的“準備清洗”，意味著在對基板進行的研磨工序(前表面研磨工序及后表面研磨工序)之前，換句話說，針對未實現研磨的基板的表面首次執行的清洗工序。