[實用新型]半導體電容裝置

有效

• 申請號: 201820876769.3
• 申請日: 2018-06-07
• 公開（公告）號: CN208271885U
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/108
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種半導體電容裝置，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有多個電容觸點；

雙面電容器，包括：連接于所述電容觸點的第一導電層，覆蓋于所述第一導電層的內表面及外表面的電容介質層，以及覆蓋于所述電容介質層外表面的第二導電層；

第一支撐層，連接于所述第一導電層的下部側壁，位于所述基底之上并與所述基底具有第一間距，所述第一支撐層具有第一開口；

第二支撐層，連接于所述第一導電層的中部側壁，位于所述第一支撐層之上并與所述第一支撐層具有第二間距，所述第二支撐層具有第二開口；以及

第三支撐層，連接于所述第一導電層的頂部側壁，位于所述第二支撐層之上并與所述第二支撐層具有第三間距，所述第三支撐層具有第三開口，所述第三支撐層的厚度大于所述第一支撐層的厚度，且所述第三支撐層的厚度大于所述第二支撐層的厚度，以穩定支撐所述雙面電容器；

其中，所述第一導電層具有凸出于所述第三支撐層的凸出部，且所述凸出部的頂緣被所述電容介質層及所述第二導電層包覆，以使所述雙面電容器的電極高度大于由所述第一支撐層、所述第二支撐層和所述第三支撐層所構成的支撐高度。

2.根據權利要求1所述的半導體電容裝置，其特征在于：所述第一導電層的所述凸出部的高度范圍介于1納米～5納米之間。

3.根據權利要求1所述的半導體電容裝置，其特征在于：所述第一支撐層的厚度范圍介于10納米～100納米之間，所述第二支撐層的厚度范圍介于10納米～100納米之間，所述第三支撐層的厚度范圍介于50納米～500納米之間。

4.根據權利要求1所述的半導體電容裝置，其特征在于：所述基底表面還覆蓋有刻蝕停止層，所述刻蝕停止層的厚度范圍介于10納米～60納米之間，所述刻蝕停止層的材質包括氮化硅。

5.根據權利要求1所述的半導體電容裝置，其特征在于：所述第一間距的范圍350納米～1200納米之間，所述第二間距的范圍介于250納米～1250納米之間，所述第三間距的范圍介于200納米～800納米之間。

6.根據權利要求1所述的半導體電容裝置，其特征在于：所述第一支撐層、所述第二支撐層及所述第三支撐層的材質包含氮化硅。

7.根據權利要求1所述的半導體電容裝置，其特征在于：所述第一導電層的材質包括金屬氮化物及金屬硅化物中的一種；所述電容介質層的材質包括氧化鋯、氧化鉿、氧化鈦鋯、氧化釕、氧化銻、氧化鋁所組成群組中的一種；所述第二導電層的材質包括金屬氮化物及金屬硅化物中的一種。

8.根據權利要求1所述的半導體電容裝置，其特征在于：所述雙面電容器上還覆蓋有保護介質層，以提供所述雙面電容器的穩定支撐。