[實用新型]一種功率驅動集成電路有效
| 申請號: | 201820876225.7 | 申請日: | 2018-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN208208752U | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發明(設計)人: | 呂紹明 | 申請(專利權)人: | 深圳市南芯微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L29/78 |
| 代理公司: | 北京捷誠信通專利事務所(普通合伙) 11221 | 代理人: | 王衛東 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 引線連接 同組 引腳 功率驅動集成電路 本實用新型 基島 分立器件芯片 集成電路設計 單一芯片 功率驅動 連接方式 直流電機 制造工藝 大電流 內阻抗 單管 兩組 橋聯 封裝 集成電路 構架 制作 | ||
本實用新型公開了一種功率驅動集成電路,包括基島和設置在所述基島上的兩組芯片以及多個引腳,每組所述芯片為兩個,且同組的兩個所述芯片之間通過引線連接,同組的其中一個所述芯片與其中一個所述引腳通過引線連接,同組的另一個所述芯片通過兩個引線與其中兩個所述引腳連接。本實用新型,采用四個單管分立器件芯片的封裝連接方式,且其中兩個芯片之間通過引線連接,實現了具有大電流、低內阻抗的MOS管橋聯集成電路的構架,解決了單純集成電路設計方法及制造工藝無法用單一芯片制作完成的難題,適用于直流電機的功率驅動。
技術領域
本實用新型涉及集成電路技術領域,具體涉及一種功率驅動集成電路。
背景技術
集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上,然后封裝在一個管殼內,成為具有所需電路功能的微型結構;其中所有元件在結構上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。現有技術中的集成電路都是在一個基島上安裝兩個芯片,將兩個芯片分別與引腳連接,再將集成電路連接到線路中,但是這種集成電路的輸出功率較低,且只能適用于交流電。
有鑒于此,急需對現有的集成電路進行改進,以增加其輸出功率,并且使其能夠適用于多種類型的電流。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是現有的存在輸出功率低,且只能適用于交流電的問題。
為了解決上述技術問題,本實用新型所采用的技術方案是提供一種功率驅動集成電路,包括基島和設置在所述基島上的兩組芯片以及多個引腳,每組所述芯片為兩個,且同組的兩個所述芯片之間通過引線連接,同組的其中一個所述芯片與其中一個所述引腳通過引線連接,同組的另一個所述芯片通過兩個引線與其中兩個所述引腳連接。
在上述方案中,兩組所述芯片包括P-MOS管芯片組和N-MOS管芯片組,所述P-MOS管芯片組包括并列設置的第一P-MOS管芯片、第二P-MOS管芯片,所述第一P-MOS管芯片、第二P-MOS管芯片之間通過引線連接,所述N-MOS管芯片組包括第一N-MOS管芯片、第二N-MOS管芯片,所述第一N-MOS管芯片、第二N-MOS管芯片之間通過引線連接。
在上述方案中,所述第一P-MOS管芯片包括第一P-MOS管芯片本體和設置在所述第一P-MOS管芯片本體上的第一柵極控制腳,所述第二P-MOS管芯片包括第二P-MOS管芯片本體和設置在所述第二P-MOS管芯片本體上的第二柵極控制腳,所述第一P-MOS管芯片本體、第一柵極控制腳分別通過引線與其中兩個所述引腳連接,所述第二柵極控制腳通過引線與其中一個所述引腳連接,所述第一N-MOS管芯片包括第一N-MOS管芯片本體和設置在所述第一N-MOS管芯片本體上的第三柵極控制腳,所述第二N-MOS管芯片包括第二N-MOS管芯片本體和設置在所述第二N-MOS管芯片本體上的第四柵極控制腳,所述第三柵極控制腳通過引線與其中一個所述引腳連接,所述第二N-MOS管芯片本體、第四柵極控制腳分別通過引線與其中兩個所述引腳連接。
在上述方案中,所述引腳為八個,包括由左至右依次設置在兩組所述芯片下方的第一引腳、第二引腳、第三引腳和第四引腳,以及由右至左依次設置在兩組所述芯片上方的第五引腳、第六引腳、第七引腳和第八引腳,
所述第一引腳和所述第三柵極控制腳連接;
所述第二引腳設置在所述基島上;
所述第三引腳與所述第二N-MOS管芯片本體連接;
所述第四引腳與所述第四柵極控制腳連接;
所述第五引腳與所述第二柵極控制腳連接;
所述第六引腳設置在所述基島上;
所述第七引腳與所述第一P-MOS管芯片本體連接;
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