[實用新型]金屬連接結構有效
| 申請號： | 201820874462.X | 申請日： | 2018-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN208433368U | 公開（公告）日： | 2019-01-25 |
| 發明（設計）人： | 劉峻 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬連接結構 金屬通孔 介質層 基底 阻擋層 本實用新型 非金屬材料 表面鍵合 基底表面 側壁 金屬 擴散 | ||
1.一種金屬連接結構，其特征在于，包括：
第一基底，所述第一基底包括第一介質層和位于所述第一介質層內的第一金屬通孔；
位于所述第一基底表面的第二基底，所述第二基底包括第二介質層和位于所述第二介質層內的第二金屬通孔，所述第二金屬通孔表面與所述第一金屬通孔表面鍵合連接；
所述第二金屬通孔側壁和第二介質層之間具有第二阻擋層，所述第二阻擋層為非金屬材料。
2.根據權利要求1所述的金屬連接結構，其特征在于，所述第一介質層包括層間介質層和位于所述層間介質層表面的第一阻擋層；所述第二阻擋層表面與所述第一阻擋層表面鍵合。
3.根據權利要求1所述的金屬連接結構，其特征在于，所述第二金屬通孔的材料在所述第二阻擋層內的擴散速率小于在所述第二介質層內的擴散速率。
4.根據權利要求1所述的金屬連接結構，其特征在于，所述第二阻擋層的材料包括氮化硅、碳化硅以及BLOk中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的金屬連接結構，其特征在于，所述第二阻擋層厚度為15nm～50nm。
6.根據權利要求1所述的金屬連接結構，其特征在于，所述第一金屬通孔表面在所述第二金屬通孔表面的投影完全位于所述第二金屬通孔表面內。
7.根據權利要求1所述的金屬連接結構，其特征在于，所述第一基底內還形成有存儲陣列結構，所述第一金屬通孔底部連接所述存儲陣列結構；所述第二基底內還形成有CMOS電路結構，所述第二金屬通孔底部連接所述CMOS電路結構。
8.根據權利要求1所述的金屬連接結構，其特征在于，所述第二阻擋層環繞所述第二金屬通孔呈封閉環狀。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
