[實用新型]場效應晶體管及存儲記憶體有效
| 申請號： | 201820870458.6 | 申請日： | 2018-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN208444843U | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發明（設計）人： | 戴明志 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L27/108 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝道區 場效應晶體管 本實用新型 存儲記憶 漏極 源極 場效應晶體管結構 晶體管制作工藝 單器件存儲器 步驟簡化 存儲電荷 占用空間 制作工藝 介質層 兼容 計算機 配合 應用 | ||
1.一種場效應晶體管，包括源極、漏極、溝道區和第一柵極，所述源極與漏極之間經溝道區連接，所述第一柵極設置在溝道區上，且所述第一柵極與溝道區之間設置有介質層；其特征在于：所述場效應晶體管還包括至少一個第二柵極，所述至少一個第二柵極與所述溝道區配合形成用以存儲電荷的結。
2.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：所述場效應晶體管包括導電區，所述導電區作為所述第二柵極與所述溝道區配合形成所述的結。
3.如權利要求2所述的場效應晶體管，其特征在于：所述第二柵極與所述溝道區之間設置有絕緣層和/或緩沖層。
4.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：所述場效應晶體管還包括與所述第二柵極配合的半導體區。
5.如權利要求4所述的場效應晶體管，其特征在于：所述半導體區與第二柵極之間設置有絕緣層。
6.如權利要求4或5所述的場效應晶體管，其特征在于：所述第二柵極設置于所述半導體區周圍的任一個或多個指定區域，所述的任一個或多個指定區域偏離所述半導體區與溝道區之間的區域。
7.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：所述場效應晶體管包括半導體層，所述半導體層內分布有源區、漏區和溝道區，所述源區、漏區分別與源極、漏極連接。
8.如權利要求7所述的場效應晶體管，其特征在于：所述第二柵極設置于所述溝道區周圍的任一個或多個指定區域，所述的任一個或多個指定區域與所述源區、漏區及第一柵極中任一者所在的區域無接觸且也不重合。
9.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：所述場效應晶體管為鰭式場效應晶體管，所述晶體管的鰭式溝道區上分布于至少一個所述的第二柵極。
10.一種存儲記憶體，其特征在于包括權利要求1-9中任一項所述的場效應晶體管。
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