[實用新型]靜電保護電路、陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201820855116.7 | 申請日: | 2018-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN208189588U | 公開(公告)日: | 2018-12-04 |
| 發明(設計)人: | 李盼;喬勇;郝學光 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;王衛忠 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電保護電路 信號線 陣列基板 電壓線 顯示裝置 本實用新型 第一開關 開關單元 靜電 導通 施加 低電平電壓 高電平電壓 開關組件 直線布置 周邊區域 響應 源層 占用 | ||
1.一種靜電保護電路,其特征在于,所述靜電保護電路包括:
第一電壓線,施加有高電平電壓;
第二電壓線,施加有低電平電壓;
開關組件,包括沿直線布置并共用有源層的多個第一開關單元和多個第二開關單元,
其中,
所述多個第一開關單元分別連接在多條信號線與第一電壓線之間,并響應于信號線上的負靜電而導通;
所述多個第二開關單元分別連接在所述多條信號線與第二電壓線之間,并響應于信號線上的正靜電而導通,
其中,所述多條信號線設置在陣列基板的周邊區域。
2.根據權利要求1所述的靜電保護電路,其特征在于,所述多個第一開關單元和所述多個第二開關單元所在的直線設置在所述多條信號線的一側。
3.根據權利要求1所述的靜電保護電路,其特征在于,與同一信號線對應的第一開關單元和第二開關單元彼此相鄰地布置。
4.根據權利要求3所述的靜電保護電路,其特征在于,與所述同一信號線對應的第一開關單元和第二開關單元構成開關單元組,并且與所述同一信號線對應的開關單元組通過同一信號線連接線連接到信號線。
5.根據權利要求4所述的靜電保護電路,其特征在于,彼此相鄰的開關單元組按照第一開關單元彼此相鄰或第二開關單元彼此相鄰來布置。
6.根據權利要求5所述的靜電保護電路,其特征在于,彼此相鄰的第一開關單元通過同一第一電壓線連接線連接到第一電壓線,彼此相鄰的第二開關單元通過同一第二電壓線連接線連接到第二電壓線。
7.根據權利要求1所述的靜電保護電路,其特征在于,開關組件包括第一開關組件和第二開關組件,
第一開關組件的第一開關單元和第二開關單元沿第一直線布置,
第二開關組件的第一開關單元和第二開關單元沿平行于第一直線的第二直線布置。
8.根據權利要求7所述的靜電保護電路,其特征在于,所述多條信號線包括多條第一信號線和多條第二信號線,第一開關組件所在的第一直線和第二開關組件所在的第二直線設置在所述多條第一信號線和所述多條第二信號線之間。
9.根據權利要求8所述的靜電保護電路,其特征在于,第一開關組件中的至少一個第一開關單元和第二開關組件中的至少一個第一開關單元通過同一第一電壓線連接線連接到第一電壓線,第一開關組件中的至少一個第二開關單元和第二開關組件中的至少一個第二開關單元通過同一第二電壓線連接線連接到第二電壓線。
10.根據權利要求1至9中任意一項所述的靜電保護電路,其特征在于,第一開關單元包括串聯連接的第一晶體管和第二晶體管,第二開關單元包括串聯連接的第三晶體管和第四晶體管。
11.根據權利要求10所述的靜電保護電路,其特征在于,
第一晶體管的第一端連接至信號線,第一晶體管的柵極和第二端彼此連接;
第二晶體管的第一端連接至第一晶體管的第二端,第二晶體管的第二端和柵極彼此連接并連接至第一電壓線;
第三晶體管的第一端和柵極彼此連接并連接至信號線;
第四晶體管的第一端和柵極彼此連接并連接至第三晶體管的第二端,第四晶體管的第二端連接至第二電壓線。
12.根據權利要求11所述的靜電保護電路,其特征在于,第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管共用沿直線布置的有源層。
13.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括:
多條信號線,設置在陣列基板的周邊區域;以及
根據權利要求1至12中任意一項所述的靜電保護電路,連接至所述多條信號線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





