[實用新型]一種結勢壘肖特基二極管

有效

• 申請號: 201820842028.3
• 申請日: 2018-06-01
• 公開（公告）號: CN208352297U
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 關仕漢;遲曉麗
• 申請（專利權）人: 淄博漢林半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L23/31;H01L21/329
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務所 37223
• 代理人: 孫愛華

1.一種結勢壘肖特基二極管，包括結勢壘肖特基芯片以及自芯片上通過引線（11）分別引出的陰極和陽極，結勢壘肖特基芯片包括襯底（5）以及襯底（5）上方的外延層（6），在外延層（6）的表面設置有若干有源區內結（3）和位于有源區內結（3）外圈的耐壓環（1），有源區內結（3）和耐壓環（1）的半導體類型與外延層（6）相反，在外延層（6）的表面形成有與引線（11）連接的陽極金屬層（4），在襯底（5）的底面形成與引線（11）連接的陰極金屬層（7），其特征在于：芯片切割位置（10）在所述的耐壓環（1）的中部，自芯片切割位置（10）切割形成切割面（8），在切割面（8）及切割面（8）的上下邊緣區有鈍化層（14）覆蓋。

2.根據權利要求1所述的結勢壘肖特基二極管，其特征在于：所述的有源區內結（3）為P+型半導體。

3.根據權利要求1所述的結勢壘肖特基二極管，其特征在于：所述的耐壓環（1）為P+型半導體。

4.根據權利要求1所述的結勢壘肖特基二極管，其特征在于：在所述陽極金屬層（4）和陰極金屬層（7）的表面分別通過焊錫層（12）與所述的引線（11）焊接。

5.根據權利要求4所述的結勢壘肖特基二極管，其特征在于：所述的焊錫層（12）位于鈍化層（14）的內側。