[實用新型]一種勢壘高度可調的肖特基二極管有效
| 申請號： | 201820838309.1 | 申請日： | 2018-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN208336238U | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發明（設計）人： | 姚偉明;金銀萍;陸陽 | 申請（專利權）人： | 揚州國宇電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 談杰 |
| 地址： | 225000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 勢壘 勢壘金屬硅化物 肖特基二極管 本實用新型 高度可調 摻雜層 外延層 主表面 背面金屬層 二極管芯片 肖特基勢壘 正面金屬層 襯底正面 高度調節 勢壘金屬 市場需求 肖特基 襯底 結溫 背面 芯片 生長 生產 | ||
【權利要求書】：
1.一種勢壘高度可調的肖特基二極管，其特征在于，包括N型重摻雜襯底，所述N型重摻雜襯底正面生長有N型輕摻雜外延層，背面設有背面金屬層，所述N型輕摻雜外延層的主表面設有變摻雜層，所述變摻雜層的主表面設有勢壘金屬硅化物層，且勢壘金屬硅化物層構成肖特基勢壘，所述勢壘金屬硅化物層正面設有正面金屬層。
2.根據權利要求1所述的一種勢壘高度可調的肖特基二極管，其特征在于，所述N型輕摻雜外延層正面還設有一圈P重摻雜保護環，且所述變摻雜層設置在所述P重摻雜保護環的環內以及P重摻雜保護環表面的部分區域。
3.根據權利要求2所述的一種勢壘高度可調的肖特基二極管，其特征在于，所述P重摻雜保護環的表面的另一部分區域設有薄氧層。
4.根據權利要求3所述的一種勢壘高度可調的肖特基二極管，其特征在于，所述N型輕摻雜外延層表面還設有場氧層，且場氧層位于所述P重摻雜保護環外側。
5.根據權利要求4所述的一種勢壘高度可調的肖特基二極管，其特征在于，所述正面金屬層設置在所述薄氧層、場氧層和勢壘金屬硅化物層表面。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于揚州國宇電子有限公司，未經揚州國宇電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820838309.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
