[實(shí)用新型]基于共源共柵電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)的快速響應(yīng)LDO電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820827210.1 | 申請日: | 2018-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN208188718U | 公開(公告)日: | 2018-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏榕山;林家城;楊培祥 | 申請(專利權(quán))人: | 福州大學(xué) |
| 主分類號: | G05F1/575 | 分類號: | G05F1/575 |
| 代理公司: | 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學(xué)俊 |
| 地址: | 350002 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電壓翻轉(zhuǎn) 共源共柵 快速響應(yīng) 跟隨器 本實(shí)用新型 靜態(tài)電流 瞬態(tài)響應(yīng) 調(diào)制器 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng) 輸出電壓穩(wěn)定 帶負(fù)載能力 支路 采樣周期 負(fù)載電容 輸入電壓 性能仿真 性能要求 應(yīng)用空間 增強(qiáng)型 導(dǎo)電 功耗 電路 | ||
本實(shí)用新型涉及一種基于共源共柵電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)的快速響應(yīng)LDO電路。在常規(guī)共源共柵電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上通過加入跨導(dǎo)電流增強(qiáng)型電路,靜態(tài)電流支路以及快速響應(yīng)環(huán)路,在同等功耗的情況下,有效提高了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度,輸入電壓在1.8V?3.3V間變化,輸出電壓穩(wěn)定在1.6V,負(fù)載電容在采樣周期內(nèi)變化,系統(tǒng)的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間僅僅為177ns左右,并且系統(tǒng)的靜態(tài)電流為104.1uA,擁有0mA?1mA的帶負(fù)載能力。本實(shí)用新型的LDO有效的提高了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度,滿足Sigma?delta調(diào)制器的性能要求,通過性能仿真證實(shí)了其性能的可靠,在音頻Sigma?delta調(diào)制器有著巨大的應(yīng)用空間。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型用于音頻Sigma-delta調(diào)制器中,具體涉及一種基于共源共柵電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)的快速響應(yīng)LDO電路。
背景技術(shù)
近年來,隨著電子技術(shù)及集成電路系統(tǒng)的高速發(fā)展,尤其是互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代便攜式和消費(fèi)類電子的不斷普及,電源管理芯片在汽車、醫(yī)療、移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)以及基礎(chǔ)生活設(shè)施等諸多領(lǐng)域發(fā)揮著越來越大的作用。電源管理芯片作為電池與電子設(shè)備之間的橋梁,承擔(dān)著電源的分配、管理、穩(wěn)壓的作用,電源管理芯片的性能極大程度決定了電子設(shè)備的整體性能。隨著集成電路工藝的不斷革新與發(fā)展。低壓差線性穩(wěn)壓器(Low DropoutRegulator,簡稱 LDO)作為電源管理芯片的一種,其需求量逐步擴(kuò)大。在智能生活以及節(jié)能環(huán)保的大環(huán)境背景下,LDO芯片除了穩(wěn)定、可靠的基本要求以外,逐漸向低功耗、高精度、快速響應(yīng)、低成本等高性能發(fā)展。
傳統(tǒng)的LDO以電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)作為控制環(huán)路,該結(jié)構(gòu)的主要不足之處在于負(fù)載電流的要求,不適用于空載情況。當(dāng)負(fù)載電流小于一定值時(shí),功率管的柵端電壓增大,使得控制管進(jìn)入線性區(qū),LDO將失去對輸出電壓的調(diào)節(jié)能力,輸出電壓發(fā)生改變。在電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,還有共源共柵電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)為壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)的改進(jìn)版。共源共柵電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)與電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)相比,這個(gè)結(jié)構(gòu)加入一個(gè)共柵極結(jié)構(gòu)的晶體管,這個(gè)晶體管的加入提高了反饋環(huán)路的增益,改善了LDO的負(fù)載調(diào)整率。但是在此結(jié)構(gòu)功率管的柵端仍是個(gè)高阻節(jié)點(diǎn),柵端仍是個(gè)較低頻率極點(diǎn),環(huán)路帶寬有限,系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)速度有限。
本實(shí)用新型提出一種新型的基于共源共柵電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)的快速響應(yīng)LDO,電路結(jié)構(gòu)清晰簡單,并且可以在高頻變化下啟動(dòng)快速環(huán)路,加快LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種基于共源共柵電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)的快速響應(yīng)LDO電路,有效的提高了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度,滿足Sigma-delta調(diào)制器的性能要求,通過性能仿真證實(shí)了其性能的可靠,在音頻Sigma-delta調(diào)制器有著巨大的應(yīng)用空間。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種基于共源共柵電壓翻轉(zhuǎn)跟隨器結(jié)構(gòu)的快速響應(yīng)LDO電路,包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、MP、MN,第一至第四電流源,M1的第一端與M5的第一端、MP的第一端、M8的第一端、M9的第一端、M10的第一端相連接至VDD,M1的第二端與M6的控制端、M2的第一端連接,M1的控制端與M5的控制端、M9的控制端、M10的控制端、M10的第二端、M7的第二端連接,M2的第二端與M2的控制端、M3的控制端相連接,并經(jīng)第一電流源連接至GND,M3的第一端與MP的第二端、MN的第二端相連接作為LDO電路的輸出端,M3的第二端與MN的控制端、M4的第一端相連接,并經(jīng)第二電流源、第三電流源連接至GND,M4的第二端與M5的第二端、MP的控制端連接,M4的控制端作為LDO電路的偏置電壓輸入端,M6的第一端與M7的第一端相連接,并經(jīng)第四電流源與MN的第一端相連接至GND,M6的第二端與M8的第二端、M8的控制端、M9的第二端相連接,M7的控制端連接至基準(zhǔn)電壓源。
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