[實用新型]基于改進型負載電流復制結構的快速響應LDO

有效

• 申請號: 201820827184.2
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN208188721U
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: 魏榕山;林家城;盧偉業
• 申請（專利權）人: 福州大學
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.一種基于改進型負載電流復制結構的快速響應LDO，其特征在于，包括誤差放大器、改進型負載電流復制結構，所述改進型負載電流復制結構由N個相同的緩沖級結構組成，所述誤差放大器的輸出端分別與所述N個緩沖級結構的輸入端連接，誤差放大器的第一輸入端連接至基準電壓源，誤差放大器的第二輸入端與第1緩沖級結構的輸出端連接，第2至第N緩沖級結構的輸出端相連接作為整個快速響應LDO的輸出端，第2緩沖級結構的輸出端還經一電容連接至GND。

2.根據權利要求1所述的基于改進型負載電流復制結構的快速響應LDO，其特征在于，所述第1緩沖級結構包括第一至第四晶體管、電流源，第一晶體管的控制端作為第1緩沖級結構的輸入端，第一晶體管的第一端與第二晶體管的第二端相連接，并經電流源連接至GND，第一晶體管的第二端與第三晶體管的第一端相連接作為第1緩沖級結構的輸出端，第二晶體管的第一端與第三晶體管的控制端、第四晶體管的控制端、第四晶體管的第一端相連接，第二晶體管的控制端作為第1緩沖級結構的偏置電壓輸入端，第三晶體管的第二端與第四晶體管的第二端相連接至電源端。

3.根據權利要求2所述的基于改進型負載電流復制結構的快速響應LDO，其特征在于，所述偏置電壓由偏置電路產生。

4.根據權利要求2所述的基于改進型負載電流復制結構的快速響應LDO，其特征在于，所述第一至第四晶體管為PMOS晶體管。