[實用新型]過壓保護電路

有效

• 申請號: 201820811861.1
• 申請日: 2018-05-29
• 公開（公告）號: CN208548705U
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 黃大志;陳志列
• 申請（專利權）人: 浙江研祥智能科技有限公司
• 主分類號: H02H3/20
• 分類號: H02H3/20;H02H3/05;H03K17/687
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王寧

1.一種過壓保護電路，其特征在于，所述過壓保護電路包括：電子開關、儲能電容、比較器以及驅動電路；

所述電子開關用于接入輸入電壓；

所述儲能電容與所述電子開關連接，用于在所述電子開關導通時儲存電能，并在所述電子開關斷電時放電；

所述比較器分別與所述儲能電容、驅動電路連接，所述驅動電路與所述電子開關連接，所述比較器用于接入基準電壓以及所述儲能電容的放電電壓，并將所述放電電壓與所述基準電壓進行比較，在所述放電電壓大于基準電壓時，觸發所述驅動電路維持所述電子開關的關斷狀態；所述比較器還用于在所述放電電壓降低至小于所述基準電壓時，觸發所述驅動電路導通所述電子開關。

2.根據權利要求1所述的過壓保護電路，其特征在于，所述電子開關為PMOS管Q1，所述驅動電路包括PMOS管Q2、電容C1以及NMOS管Q3；

所述PMOS管Q1的源極接入所述輸入電壓，所述PMOS管Q1的源極還與所述PMOS管Q2的源極連接，所述PMOS管Q1的源極還與所述PMOS管Q2的柵極連接，所述PMOS管Q1的源極還通過所述電容C1與所述NMOS管Q3的柵極連接；

所述PMOS管Q1的漏極與所述儲能電容連接；

所述PMOS管Q1的柵極與所述PMOS管Q2的漏極連接，所述PMOS管Q1的柵極還與所述NMOS管Q3的漏極連接；

所述比較器的輸出端分別與所述電容C1、所述NMOS管Q3的柵極連接。

3.根據權利要求2所述的過壓保護電路，其特征在于，所述驅動電路還包括電阻R1以及電阻R2；

所述PMOS管Q1的源極是通過所述電阻R1與所述PMOS管Q2的柵極連接，所述PMOS管Q1的源極是依次通過所述電阻R1、電容C1與所述NMOS管Q3的柵極連接，所述PMOS管Q1的柵極是通過所述電阻R2與所述NMOS管Q3的漏極連接。

4.根據權利要求3所述的過壓保護電路，其特征在于，所述過壓保護電路還包括基準電壓提供電路；所述基準電壓提供電路與所述比較器連接；

所述基準電壓提供電路用于接入所述輸入電壓，并為所述比較器提供所述基準電壓。

5.根據權利要求4所述的過壓保護電路，其特征在于，所述基準電壓提供電路包括三端穩壓管和電阻R3；

所述三端穩壓管的陰極通過所述電阻R3接入所述輸入電壓，所述三端穩壓管的陽極接地，所述三端穩壓管的參考極與所述比較器的輸入端連接。

6.根據權利要求5所述的過壓保護電路，其特征在于，所述比較器為運算放大器；所述三端穩壓管的參考極是與所述運算放大器的同相輸入端連接，所述運算放大器的反相輸入端與所述儲能電容連接。

7.根據權利要求1所述的過壓保護電路，其特征在于，

所述過壓保護電路還包括電感，所述電子開關是通過所述電感與所述儲能電容連接。

8.根據權利要求1所述的過壓保護電路，其特征在于，所述電子開關為NMOS管或IGBT管。

9.根據權利要求1-8任一項所述的過壓保護電路，其特征在于，所述過壓保護電路還包括取樣電路；所述比較器通過所述取樣電路與所述儲能電容連接；

所述比較器是通過所述取樣電路取樣所述儲能電容的放電電壓。

10.根據權利要求9所述的過壓保護電路，其特征在于，所述取樣電路包括電阻R5和電阻R6，所述電阻R5和電阻R6串聯，所述電阻R5與所述儲能電容連接，所述電阻R6接地，所述電阻R5和電阻R6的公共節點所述比較器連接，所述比較器是從所述公共節點得到所述放電電壓。