[實用新型]應用于自發光的像素單元電路、測試電路

有效

• 申請號: 201820808132.0
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN208208294U
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 趙博華
• 申請（專利權）人: 南京微芯華譜信息科技有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00;G09G3/32;G09G3/3208
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 劉暢

本實用新型公開了一種應用于自發光的像素單元電路，其特征在于它包括：第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3、第四晶體管M4、采樣保持電容C1、數據信號線IDATA、開關控制信號線SMP_HLD、電源線VDD、發光器件的共陰極電源線VCOM、發光器件。本專利提出的像素陣列單元電路輸出電流的測試方案，能評估各個像素單元電路輸出電流的差異，進而評估整個像素陣列的電流輸出一致性。

技術領域

本實用新型涉及自發光顯示的像素單元陣列電流測試電路，尤其涉及OLED/LED微顯示的像素單元陣列電流測試電路。

背景技術

近些年隨著AR(Augmented Reality，增強現實)/VR((Virtual Reality，虛擬現實)技術的發展，與之緊密相關的微顯示技術也得到了廣泛的關注。微顯示(Microdisplay)技術是顯示技術領域的一個分支，一般將顯示器對角線尺寸小于1英寸(2.54cm)或者指那些小到需要光學放大的顯示器稱為微顯示器。目前常見的微顯示技術有OLEDoS(OrganicLight-Emitting Diode on Silicon，硅基有機發光)、LEDoS(Light Emitting Diode onSilicon，硅基二極管發光)、LCoS(Liquid Crystal on Silicon，硅基液晶)和DMD(DigitalMicro mirror Device，數字微鏡器件)四種，其中OLEDoS和LEDoS都屬于主動發光，而LCoS和DMD則屬于被動發光；同時，OLEDoS和LEDoS還具有低功耗、高對比度以及快速響應的優點，因此它們更適合應用于AR和VR技術中。

OLEDoS和LEDoS微顯示器與常規的利用非晶硅、微晶硅或者低溫多晶硅工藝不同，其是以單晶硅芯片為基板，也就是說其可以采用現有成熟的集成電路CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)工藝，因此其不但可以實現顯示屏像素的有源尋址矩陣也可以實現掃描鏈電路、數字模擬轉換電路、帶隙基準等各種功能的驅動控制電路，從而大大減少了器件的外部連線，增加了可靠性，實現了輕量化。

像素單元電路是微顯示驅動電路中最基本的單元，其輸出電流的一致性會對最終顯示效果造成較大的影響。因此，像素單元陣列電路輸出電流的一致性分析對于分析和評估整體驅動方案具有較大的價值。

實用新型內容

本實用新型提出了一種能適用于像素單元陣列電路輸出電流的測試方案，通過此方案能較容易的完成像素單元陣列電流一致性的分析。

技術方案：

本實用新型公開了一種應用于自發光的像素單元電路，它包括：第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3、第四晶體管M4、采樣保持電容C1、數據信號線IDATA、開關控制信號線SMP_HLD、電源線VDD、發光器件的共陰極電源線VCOM、發光器件，

所述電源線VDD一方面連接第一晶體管M1的源極，另一方面連接采樣保持電容C1的上極板；采樣保持電容C1的下極板分別連接第一晶體管M1的柵極、第二晶體管M2的源極、第三晶體管M3的漏極；

所述開關控制信號線SMP_HLD分別連接第二晶體管M2的柵極、第三晶體管M3的柵極、第四晶體管M4的柵極；

所述數據信號線IDATA連接第二晶體管M2的漏極；

所述第四晶體管M4的漏極分別連接第一晶體管M1的漏極、第三晶體管M3的源極；

所述第四晶體管M4的源極通過發光器件連接發光器件的共陰極電源線VCOM。

優選的，所述發光器件為OLED或LED。

優選的，第一晶體管M1、第二晶體管M2和第三晶體管M3均為PMOS管，第四晶體管M4為NMOS管。