[實用新型]一種超低正向壓降的Trench肖特基器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820797988.2
• 申請日: 2018-05-28
• 公開（公告）號: CN208173597U
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發(fā)明（設計）人: 劉鋒;周祥瑞;殷允超
• 申請（專利權）人: 江蘇捷捷微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種超低正向壓降的Trench肖特基器件，包括位于半導體基板上的有源區(qū)和終端區(qū)，在所述肖特基器件的俯視平面上，所述有源區(qū)位于半導體基板的中心區(qū)，終端區(qū)位于有源區(qū)的外圈并環(huán)繞包圍所述有源區(qū)；在所述肖特基器件的截面上，所述半導體基板包括位于上方的漂移區(qū)以及位于下方的襯底，所述襯底鄰接漂移區(qū)，漂移區(qū)的上表面形成半導體基板的第一主面，襯底的下表面形成半導體基板的第二主面；其特征在于：在有源區(qū)內，半導體基板內設有若干個均勻分布的溝槽，所述溝槽從半導體基板的第一主面指向第二主面的方向上，穿過漂移區(qū)延伸到襯底內；在過渡區(qū)及與過渡區(qū)相鄰的終端區(qū)內，半導體基板內設有一個寬溝槽，所述寬溝槽從半導體基板的第一主面指向第二主面的方向上，穿過漂移區(qū)延伸到襯底內；在終端區(qū)內，半導體基板的第一主面上淀積有鈍化層。

2.根據權利要求1所述的一種超低正向壓降的Trench肖特基器件，其特征在于，在有源區(qū)內，所述溝槽內填充有厚氧化層及厚氧化層包裹的有源區(qū)多晶硅。

3.根據權利要求1所述的一種超低正向壓降的Trench肖特基器件，其特征在于，在有源區(qū)內，在半導體基板的第一主面上依次淀積有TI/TIN層和金屬層，且TI/TIN層與所述溝槽內的有源區(qū)多晶硅接觸。

4.根據權利要求3所述的一種超低正向壓降的Trench肖特基器件，其特征在于，所述金屬層包括Al層、Si層和Cu層，所述背面金屬包括Ti層、Ni層和Ag層。

5.根據權利要求1所述的一種超低正向壓降的Trench肖特基器件，其特征在于，所述寬溝槽內填充有厚氧化層，所述厚氧化層形成的槽內填充有過渡區(qū)多晶硅及與過渡區(qū)多晶硅鄰接的終端區(qū)多晶硅，且寬溝槽內的過渡區(qū)多晶硅與TI/TIN層接觸。