[實(shí)用新型]一種恒流型電子負(fù)載有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820782376.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208188173U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李漢賢;陶春芳;成躍輝;張玉萍;祝奇峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江中科正方電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R1/20 | 分類號(hào): | G01R1/20;G05F1/56 |
| 代理公司: | 杭州裕陽(yáng)聯(lián)合專利代理有限公司 33289 | 代理人: | 姚宇吉 |
| 地址: | 321000 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電流控制模塊 采樣電阻 電子負(fù)載 本實(shí)用新型 恒流 電流反饋 采集 電流控制端 線性工作區(qū) 電流恒定 恒流性能 可變電阻 輸出控制 柵極電壓 體積小 電阻 串聯(lián) 保證 檢測(cè) | ||
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種恒流型電子負(fù)載,包括電流控制模塊、MOS管及采樣電阻;所述MOS管的柵極與所述電流控制模塊的電流控制端連接,所述MOS管與所述采樣電阻串聯(lián),所述電流控制模塊的電流反饋端與所述采樣電阻連接,所述電流控制模塊通過(guò)所述電流反饋端采集所述采樣電阻的電壓值,并根據(jù)采集到的電壓值來(lái)輸出控制信號(hào)對(duì)所述MOS管的柵極電壓進(jìn)行調(diào)節(jié),從而調(diào)節(jié)所述MOS管線性工作區(qū)的電阻阻值,維持MOS管的電流恒定。本實(shí)用新型利用MOS管的線性工作區(qū)作為可變電阻,通過(guò)電流控制模塊調(diào)整MOS管的阻值來(lái)保證電子負(fù)載的恒流。本實(shí)用新型不僅體積小,靈活性好,且由于MOS管線性度好,因此也可保證電子負(fù)載的恒流性能,提高檢測(cè)精度。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電子負(fù)載,具體的說(shuō),是涉及一種恒流型電子負(fù)載。
背景技術(shù)
電子負(fù)載是一種用于模擬真實(shí)環(huán)境負(fù)載的用電器,一般應(yīng)用于各種電源、電池、適配器及需要電子負(fù)載測(cè)試的場(chǎng)合。
目前,對(duì)車身控制器的性能進(jìn)行檢測(cè)時(shí),由于車身控制器所需電流較強(qiáng),需采用不同型號(hào)的功率電阻作為車身控制器負(fù)載,或采用可調(diào)大體積功率電阻作為負(fù)載,這就導(dǎo)致一般的車身控制器的電子負(fù)載體積較大,占用場(chǎng)地較多,同時(shí),靈活性也差,給調(diào)整電流造成不便;此外,由于大體積功率電阻或多個(gè)不同型號(hào)的功率電阻集合易受溫度、接電時(shí)長(zhǎng)等因素的影響,線性度會(huì)降低,這就導(dǎo)致其作為車身控制器電子負(fù)載的精度降低,不能保證恒流。
因此,有必要提供一種新的恒流型電子負(fù)載,以解決上述技術(shù)問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供了一種恒流型電子負(fù)載,利用MOS管的線性工作區(qū)作為可變電阻,通過(guò)電流控制模塊調(diào)整MOS管的阻值來(lái)保證電子負(fù)載的恒流。本實(shí)用新型不僅體積小,靈活性好,且由于MOS管線性度好,因此也可保證電子負(fù)載的恒流性能,提高檢測(cè)精度。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型具體方案如下:
一種恒流型電子負(fù)載,包括電流控制模塊、MOS管及采樣電阻;所述MOS管的柵極與所述電流控制模塊的電流控制端連接,所述MOS管與所述采樣電阻串聯(lián),所述電流控制模塊的電流反饋端與所述采樣電阻連接,所述電流控制模塊通過(guò)所述電流反饋端采集所述采樣電阻的電壓值,并根據(jù)采集到的電壓值來(lái)輸出控制信號(hào)對(duì)所述MOS管的柵極電壓進(jìn)行調(diào)節(jié),從而調(diào)節(jié)所述MOS管線性工作區(qū)的電阻阻值,維持MOS管的電流恒定。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述電流控制模塊包括主控制器、驅(qū)動(dòng)模塊及電壓反饋模塊,所述驅(qū)動(dòng)模塊和所述電壓反饋模塊分別與所述主控制器連接;所述驅(qū)動(dòng)模塊作為所述電流控制模塊的輸出端與所述MOS管連接,并根據(jù)所述主控制器輸出的電壓信號(hào)對(duì)MOS管的柵極電壓進(jìn)行調(diào)節(jié);所述電壓反饋模塊與所述采樣電阻連接,將通過(guò)采樣電阻采集到的所述MOS管的漏極電壓信息反饋至主控制器。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述驅(qū)動(dòng)模塊包括比較電路及基準(zhǔn)電壓電路,所述比較電路的兩個(gè)輸入端分別連接所述主控制器和所述基準(zhǔn)電壓電路,所述比較電路的輸出端連接所述MOS管的柵極,所述比較電路通過(guò)對(duì)兩個(gè)輸入端之間電壓進(jìn)行比較,輸出比較結(jié)果對(duì)所述MOS管的柵極電壓進(jìn)行控制,進(jìn)而調(diào)整所述MOS管的電阻阻值。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述比較電路包括比較器,所述比較器的其中一個(gè)輸入端與所述主控制器連接,所述比較器的另一個(gè)輸入端與所述基準(zhǔn)電壓電路連接,所述比較器的輸出端與所述MOS管的柵極連接,所述比較器通過(guò)將所述主控制器輸出信號(hào)與所述基準(zhǔn)電壓電路進(jìn)行比較,得出對(duì)所述MOS管柵極的調(diào)節(jié)電壓。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述基準(zhǔn)電壓電路包括上拉電阻和穩(wěn)壓電路,所述上拉電阻與所述穩(wěn)壓電路串聯(lián),所述上拉電阻與所述穩(wěn)壓電路之間并聯(lián)有所述比較電路的一個(gè)輸入端。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述電流控制模塊還包括電流調(diào)節(jié)模塊,所述電流調(diào)節(jié)模塊與所述主控制器連接,通過(guò)所述電流調(diào)節(jié)模塊對(duì)所述恒流型電子負(fù)載的電流值進(jìn)行預(yù)設(shè)。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R1-00 包含在G01R 5/00至G01R 13/00和G01R 31/00組中的各類儀器或裝置的零部件
G01R1-02 .一般結(jié)構(gòu)零部件
G01R1-20 .電測(cè)量?jī)x器中所用的基本電氣元件的改進(jìn);這些元件和這類儀器的結(jié)構(gòu)組合
G01R1-28 .在測(cè)量?jī)x器中提供基準(zhǔn)值的設(shè)備,例如提供標(biāo)準(zhǔn)電壓、標(biāo)準(zhǔn)波形
G01R1-30 .電測(cè)量?jī)x器與基本電子線路的結(jié)構(gòu)組合,例如與放大器的結(jié)構(gòu)組合
G01R1-36 .電測(cè)量?jī)x器的過(guò)負(fù)載保護(hù)裝置或電路
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