[實用新型]一種常閉型氮化鎵HEMT器件有效
| 申請號： | 201820770363.7 | 申請日： | 2018-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN208797007U | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發明（設計）人： | 李亦衡;張葶葶;朱廷剛;夏遠洋 | 申請（專利權）人： | 江蘇能華微電子科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 孫仿衛 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體層 二維電子氣 異質結構 常閉型 氮化鎵HEMT器件 介電層 金屬離子 鈍化層 溝道層 上表面 勢壘層 漏極 源極 沉積 申請 | ||
1.一種常閉型氮化鎵HEMT器件，包括異質結構和與所述異質結構連接的源極、漏極和柵極，其特征在于，所述異質結構包括：
作為溝道層的第一半導體層；
所述第一半導體層上形成有作為勢壘層的第二半導體層；
所述第二半導體層和所述柵極之間形成有p型半導體層，所述第一半導體層和所述第二半導體層之間形成有二維電子氣，所述二維電子氣在所述p型半導體層正下方消失；
所述異質結構上表面沉積有作為鈍化層的介電層，其中，所述二維電子氣常存在的區域的正上方的介電層中注入有預選定的金屬離子。
2.如權利要求1所述的一種常閉型氮化鎵HEMT器件，其特征在于，所述介電層覆蓋所述異質結構上表面，以及覆蓋所述柵極的側面和上表面，其中，所述源極和所述漏極均不被所述介電層覆蓋。
3.如權利要求1所述的一種常閉型氮化鎵HEMT器件，其特征在于，所述器件還包括襯底，所述襯底和所述異質結構之間還分布設置有緩沖層。
4.如權利要求1所述的一種常閉型氮化鎵HEMT器件，其特征在于，所述p型半導體層的組成材料包括p型氮化鎵或p型氮化鋁鎵或p型氮化銦鎵。
5.如權利要求1所述的一種常閉型氮化鎵HEMT器件，其特征在于，所述介電層的組成材料包括金屬氧化物。
6.如權利要求1所述的一種常閉型氮化鎵HEMT器件，其特征在于，所述第一半導體層的材料組成包括氮化鎵，所述第二半導體層的材料組成包括氮化鋁鎵。
7.如權利要求3所述的一種常閉型氮化鎵HEMT器件，其特征在于，所述緩沖層的組成材料包括氮化鎵或氮化鋁鎵。
8.如權利要求1所述的一種常閉型氮化鎵HEMT器件，其特征在于，所述源極和所述漏極與所述第二半導體層之間形成歐姆接觸。
9.如權利要求3所述的一種常閉型氮化鎵HEMT器件，其特征在于，所述襯底的組成材料包括硅、藍寶石、碳化硅、氮化鎵、氮化鋁中的任意一種或兩種以上的組合。
10.如權利要求1所述的一種常閉型氮化鎵HEMT器件，其特征在于，所述介電層的組成材料還包括SiNx或SiOx。
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