[實(shí)用新型]一種具有頻率選擇功能的電容式MEMS麥克風(fēng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820763847.9 | 申請(qǐng)日： | 2018-05-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN208317008U | 公開（公告）日： | 2019-01-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳麗翔;王俊力 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H04R19/04 | 分類號(hào)： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱月芬 |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶硅 振膜層 阻尼腔 頻率選擇功能 本實(shí)用新型 電容式 硅襯底 刻蝕停止層 圓環(huán)電極 阻尼作用 麥克風(fēng) 支撐層 背腔 階梯狀圓筒 邊沿位置 彈性結(jié)構(gòu) 聲音頻率 振膜振動(dòng) 圓環(huán)形 貫穿 空腔 拾音 振膜 連通 架設(shè) | ||
1.一種具有頻率選擇功能的電容式MEMS麥克風(fēng)，其特征在于：
由下向上依次包括硅襯底(1)、SiO2刻蝕停止層(2)、下多晶硅圓環(huán)電極(3)、SiO2支撐層(4)、上多晶硅振膜層(5)；
貫穿硅襯底(1)、SiO2刻蝕停止層(2)和下多晶硅圓環(huán)電極(3)開設(shè)有圓筒形的背腔(6)；
貫穿SiO2支撐層(4)開設(shè)有圓筒形的阻尼腔(7)；
圓筒形的背腔(6)和阻尼腔(7)同軸設(shè)置，背腔(6)的圓形橫截面直徑小于阻尼腔(7)的圓形橫截面直徑,連通的背腔和阻尼腔為階梯狀圓筒形；
圓形的上多晶硅振膜層(5)架設(shè)在阻尼腔(7)上；
上多晶硅振膜層(5)靠近邊沿位置設(shè)置有圓環(huán)形的彈性結(jié)構(gòu)，彈性結(jié)構(gòu)的圓周外沿與阻尼腔(7)內(nèi)壁對(duì)應(yīng)；
所述的彈性結(jié)構(gòu)由圓周排列的多組通槽(8)組成，增加彈性結(jié)構(gòu)環(huán)形內(nèi)部分的上多晶硅振膜彈性。
2.如權(quán)利要求1所述的一種具有頻率選擇功能的電容式MEMS麥克風(fēng)，其特征在于：所述的硅襯底(1)的厚度為300～500um。
3.如權(quán)利要求1所述的一種具有頻率選擇功能的電容式MEMS麥克風(fēng)，其特征在于：所述的SiO2刻蝕停止層(2)是厚度為200～1000nm的SiO2薄膜。
4.如權(quán)利要求1所述的一種具有頻率選擇功能的電容式MEMS麥克風(fēng)，其特征在于：所述的下多晶硅圓環(huán)電極(3)是厚度為100～500nm的多晶硅薄膜。
5.如權(quán)利要求1所述的一種具有頻率選擇功能的電容式MEMS麥克風(fēng)，其特征在于：所述的SiO2支撐層(4)是厚度為200～1000nm的SiO2薄膜。
6.如權(quán)利要求1所述的一種具有頻率選擇功能的電容式MEMS麥克風(fēng)，其特征在于：所述的上多晶硅振膜層(5)是厚度為100～500nm的多晶硅薄膜。
7.如權(quán)利要求1所述的一種具有頻率選擇功能的電容式MEMS麥克風(fēng)，其特征在于：所述的通槽(8)是蛇形槽，或者是由兩個(gè)梳狀槽形成的叉指形槽。
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