[實用新型]高通量PECVD裝置有效
| 申請號： | 201820744630.3 | 申請日： | 2018-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN208362461U | 公開（公告）日： | 2019-01-11 |
| 發明（設計）人： | 項曉東;鄔蘇東;張歡;楊熹;盛江;葉繼春 | 申請（專利權）人： | 寧波英飛邁材料科技有限公司;中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | C23C16/50 | 分類號： | C23C16/50;C23C16/54 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 沉積 微區 等離子體激發 本實用新型 沉積臺 高通量 開發 襯底材料 導入通道 反應氣體 反應腔室 工藝條件 試驗效率 溫度獨立 反應腔 新工藝 分立 可調 篩選 室內 應用 進程 研究 | ||
1.一種高通量PECVD裝置，其特征在于，包括：
反應腔室；
設置于反應腔室內的沉積臺，沉積臺的沉積表面分立有多個獨立的沉積微區，每個所述沉積微區的溫度獨立可調；
每個所述沉積微區分別對應有一等離子體激發單元，每個所述等離子體激發單元分別包括一反應氣體導入通道。
2.根據權利要求1所述的高通量PECVD裝置，其特征在于，所述沉積微區通過氣體屏蔽罩進行分立。
3.根據權利要求2所述的高通量PECVD裝置，其特征在于，所述氣體屏蔽罩上下位移可調。
4.根據權利要求1所述的高通量PECVD裝置，其特征在于，所述沉積臺在水平和豎直方向位移可調；所述沉積臺溫度可調。
5.根據權利要求4所述的高通量PECVD裝置，其特征在于，每個所述沉積微區的溫度通過等離子體激發單元單獨加熱控制，或
通過等離子體激發單元和沉積臺共同加熱控制。
6.根據權利要求1所述的高通量PECVD裝置，其特征在于，所述等離子體激發單元在沉積微區表面產生射流微波等離子體。
7.根據權利要求1所述的高通量PECVD裝置，其特征在于，所述等離子體激發單元在沉積微區表面產生ICP等離子體。
8.根據權利要求1所述的高通量PECVD裝置，其特征在于，所述等離子體激發單元在沉積微區表面產生CCP等離子體。
9.根據權利要求1所述的高通量PECVD裝置，其特征在于，所述沉積微區的尺寸在3～20mm。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
