[實(shí)用新型]一種檢測(cè)TGG晶體內(nèi)部包絡(luò)的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820740456.5
• 申請(qǐng)日: 2018-05-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208283257U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅興木;蔣莉莉;王昌運(yùn);陳偉;陳秋華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建福晶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N21/01
• 分類號(hào): G01N21/01
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本實(shí)用新型涉及一種檢測(cè)TGG晶體內(nèi)部包絡(luò)的裝置，該檢測(cè)TGG晶體內(nèi)部包絡(luò)的裝置包括底座、圖像采集系統(tǒng)、樣品臺(tái)、TGG晶體、光源。本實(shí)用新型提供了一種通過(guò)可調(diào)光強(qiáng)且位于樣品的前方、上方、后方三盞光源照射在TGG晶體上，通過(guò)圖像采集系統(tǒng)觀察TGG晶體的包絡(luò)情況，采用該裝置比肉眼直接對(duì)著白光觀察更方便快捷，且檢驗(yàn)人員不易產(chǎn)生疲勞，效率高，更具優(yōu)勢(shì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于晶體測(cè)試領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，它涉及一種檢測(cè)TGG晶體內(nèi)部包絡(luò)的裝置。

背景技術(shù)

TGG晶體在光纖激光器中使用非常廣泛，通常用來(lái)制作隔離器。在生產(chǎn)制造過(guò)程中需要嚴(yán)控TGG晶體的內(nèi)部質(zhì)量，通常檢驗(yàn)員的操作方法是一手拿著TGG晶體，另一手拿著放大鏡對(duì)著白光光源進(jìn)行觀察內(nèi)部包絡(luò)，此方法長(zhǎng)時(shí)間操作容易疲勞，甚至?xí)绊懸暳Γ?a href="http://www.szxzyx.cn" title="鉆瓜專利網(wǎng)">發(fā)明能夠有效的解決包絡(luò)檢測(cè)問(wèn)題，通過(guò)圖像采集系統(tǒng)進(jìn)行觀察，操作快捷方便且不易疲勞。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種操作快捷方便且不易疲勞的檢測(cè)TGG晶體內(nèi)部包絡(luò)的裝置。

本實(shí)用新型的一種檢測(cè)TGG晶體內(nèi)部包絡(luò)的裝置，包括底座、圖像采集系統(tǒng)、樣品臺(tái)、TGG晶體、光源，所述的圖像采集系統(tǒng)固定于底座左端，所述的樣品臺(tái)固定于底座右端，所述的TGG晶體置于樣品臺(tái)臺(tái)面上，所述的光源分別位于TGG晶體前方，TGG晶體上方，TGG晶體后方。

所述的樣品臺(tái)是一個(gè)前后、左右可移動(dòng)的滑臺(tái)裝置，所述的光源是LED白光光源，所述的LED白光光源功率可以從0調(diào)到3W。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：通過(guò)可調(diào)光強(qiáng)且位于TGG晶體的前方、上方、后方三盞光源照射在TGG晶體上，通過(guò)圖像采集系統(tǒng)觀察TGG晶體的包絡(luò)情況，觀察更方便快捷，效率高。

【附圖說(shuō)明】

圖1是本實(shí)用新型的一種檢測(cè)TGG晶體內(nèi)部包絡(luò)的裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】

下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的描述。

如圖1所示，一種檢測(cè)TGG晶體內(nèi)部包絡(luò)的裝置，包括底座1、圖像采集系統(tǒng)2、樣品臺(tái)3、TGG晶體4、光源A、光源B、光源C，所述的圖像采集系統(tǒng)2固定于底座1左端，所述的樣品臺(tái)3固定于底座1右端，所述的TGG晶體4置于樣品臺(tái)3臺(tái)面上，所述的光源A、光源B、光源C分別是光源A位于TGG晶體4前方，光源B位于TGG晶體4上方，光源C位于TGG晶體4后方。

所述的樣品臺(tái)3是一個(gè)前后、左右可移動(dòng)的滑臺(tái)裝置，所述的光源A、光源B、光源C是LED白光光源，所述的LED白光光源功率可以從0調(diào)到3W。

采用如上所述的裝置時(shí)，將TGG晶體4置于樣品臺(tái)3臺(tái)面上，觀察圖像采集系統(tǒng)2上的成像，微調(diào)樣品臺(tái)3，直至TGG晶體4的前端面呈現(xiàn)出，此時(shí)調(diào)節(jié)光源A、光源B、光源C功率，并根據(jù)成像的效果交替調(diào)節(jié)光源A、光源B、光源C功率，然后繼續(xù)緩緩微調(diào)樣品臺(tái)3，此時(shí)觀察的位置慢慢移至內(nèi)部直至到后端面，完成TGG晶體內(nèi)部包絡(luò)的檢驗(yàn)，并根據(jù)需求保留檢測(cè)圖片。