[實(shí)用新型]半導(dǎo)體處理系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820733434.6 | 申請日: | 2018-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN208954934U | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳天發(fā);D·盧博米爾斯基;S·鄭;S·樸;R·W·盧;P·范;E·C·蘇亞雷斯 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 汪駿飛;侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 適配器 中心通道 半導(dǎo)體處理系統(tǒng) 第一端 處理腔室 過渡部 耦接 遠(yuǎn)程等離子體 遠(yuǎn)程等離子 通道流體 橫截 開口 隔離 出口 | ||
1.一種半導(dǎo)體處理系統(tǒng),所述半導(dǎo)體處理系統(tǒng)包括:
處理腔室;
遠(yuǎn)程等離子體單元,所述遠(yuǎn)程等離子體單元與所述處理腔室耦接;和
適配器,所述適配器與所述遠(yuǎn)程等離子體單元耦接,其中所述適配器包括第一端和與所述第一端相對的第二端,其中所述適配器在所述第一端處限定通向中心通道的開口,其中所述中心通道由第一橫截表面面積來表征,其中所述適配器在所述第二端處限定從第二通道離開的出口,其中所述適配器在所述適配器內(nèi)、在所述第一端與所述第二端之間限定所述中心通道與所述第二通道之間的過渡部,其中所述適配器限定所述過渡部與所述適配器的所述第二端之間的第三通道,并且其中所述第三通道與所述適配器內(nèi)的所述中心通道和所述第二通道流體隔離。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述第二通道由小于所述第一橫截表面面積的第二橫截面積來表征。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述第二通道包括從所述中心通道延伸的多個通道。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述適配器進(jìn)一步限定提供用來進(jìn)出所述第三通道的端口。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括耦接在所述適配器與所述處理腔室之間的隔離器,其中所述隔離器包括圍繞隔離器通道的環(huán)形構(gòu)件,并且其中所述隔離器通道與所述第二通道流體耦接并且所述隔離器通道與所述第三通道流體耦接。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述隔離器包括陶瓷。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括耦接在所述隔離器與所述處理腔室之間的混合歧管。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述混合歧管由具有的直徑等于所述隔離器通道的直徑的入口來表征。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述混合歧管的所述入口延伸到所述混合歧管的錐形區(qū)段。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述混合歧管的所述錐形區(qū)段過渡到所述混合歧管的擴(kuò)口區(qū)段,所述擴(kuò)口區(qū)段延伸到所述混合歧管的出口。
11.一種半導(dǎo)體處理系統(tǒng),所述半導(dǎo)體處理系統(tǒng)包括:
遠(yuǎn)程等離子體單元;和
處理腔室,所述處理腔室包括:
氣體箱,所述氣體箱限定中心通道,
阻擋板,所述阻擋板與所述氣體箱耦接,其中所述阻擋板限定穿過所述阻擋板的多個孔,
面板,所述面板在所述面板的第一表面處與所述氣體箱耦接,和
離子抑制元件,所述離子抑制元件在所述面板的與所述面板的所述第一表面相對的第二表面處與所述面板耦接。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括加熱器,所述加熱器圍繞耦接到所述氣體箱的混合歧管在外部耦接到所述氣體箱。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述氣體箱從上方限定容積,并且所述阻擋板從側(cè)面和下方限定所述容積。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述氣體箱、所述面板和所述離子抑制元件直接地耦接在一起。
15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述面板沿著所述面板的豎直橫截面由第一直徑和第二直徑來表征,其中所述面板限定所述面板的所述第一表面的內(nèi)部上的突出部,所述突出部延伸到由所述第二直徑表征的所述面板的內(nèi)部區(qū)域。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),其中所述阻擋板延伸到所述面板的所述內(nèi)部區(qū)域中,并且其中所述阻擋板由在所述第二直徑的百分之五以內(nèi)的直徑來表征。
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