[實用新型]一種離子源設備

有效

• 申請號: 201820728190.2
• 申請日: 2018-05-16
• 公開（公告）號: CN208113046U
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 陳宇航;龍繼東;趙良超;何小中;馬超凡;楊振;董攀;藍朝暉;劉爾祥;龍全紅
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院流體物理研究所
• 主分類號: H05H7/08
• 分類號: H05H7/08;H05H13/00
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 梁田

1.一種離子源設備，包括陽極筒(1)、陰極(2)和準直器(3)，其特征在于，所述陽極筒(1)為一個中空的圓筒，所述陽極筒(1)的側面開有一條離子引出狹縫(1.2)；在所述陽極筒(1)兩端對稱設置有沉臺孔(1.1)，且在所述沉臺孔(1.1)上安裝下沉式或噴管式準直器(3)，所述準直器(3)與所述沉臺孔(1.1)相接的一端開有一個與所述準直器(3)同心的準直孔(3.1)，所述準直孔(3.1)的孔徑D₁小于所述陽極筒(1)的內徑；在所述陽極筒(1)與所述準直器(3)組成的裝配體兩端對稱安裝陰極(2)，所述陰極(2)的陰極頭(2.1)為圓形且與所述準直孔(3.1)同心。

2.根據權利要求1所述的一種離子源設備，其特征在于，所述陰極頭(2.1)與所述陽極筒(1)最近的距離H₁為0.5～2mm，所述準直器(3)的深度為H₃，所述陰極頭(2.1)與所述準直孔(3.1)的距離(H₁+H₃)為1～4.5mm。

3.根據權利要求2所述的一種離子源設備，其特征在于，所述陰極頭(2.1)與所述準直孔(3.1)的距離(H₁+H₃)為2.5～3.5mm。

4.根據權利要求1所述的一種離子源設備，其特征在于，所述準直孔(3.1)的孔徑D₁為3～6mm，所述陰極頭(2.1)的直徑d小于所述準直器(3)的內徑D₂，大于所述準直孔(3.1)的孔徑D₁。

5.根據權利要求1所述的一種離子源設備，其特征在于，所述陰極頭(2.1)的直徑d與所述準直孔(3.1)的孔徑D₁差大于等于0.5mm。

6.根據權利要求1所述的一種離子源設備，其特征在于，所述準直器(3)的內徑D₂與所述陰極頭(2.1)的直徑d差大于等于H₁。