[實用新型]一種硅片的分離機構有效
| 申請號: | 201820714562.6 | 申請日: | 2018-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN208189543U | 公開(公告)日: | 2018-12-04 |
| 發明(設計)人: | 張學強;戴軍;張建偉;羅銀兵 | 申請(專利權)人: | 羅博特科智能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 耿丹丹 |
| 地址: | 215000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 分離機構 滑動塊 滑桿 吹氣組件 安裝板 安裝架 滑動 風刀 硅片分片 驅動汽缸 可移動 上端 負壓 劃痕 申請 驅動 | ||
本申請提供了一種硅片的分離機構,所述的分離機構包括第一安裝架,所述的第一安裝架的上端設置有第一吹氣組件,所述的第一吹氣組件包括第一滑桿、能夠沿所述的第一滑桿滑動的第一滑動塊、驅動所述的第一滑動塊沿所述的第一滑桿滑動的第一驅動汽缸,所述的第一滑動塊上固定有一第一安裝板,所述的第一安裝板上設置有至少一個第一風刀。本申請的一種硅片分離機構,具有可移動的風刀,吹向硅片之間,消除硅片之間的負壓,避免硅片分片過程中產生的劃痕。
技術領域
本申請涉及一種硅片的分離機構。
背景技術
硅片是太陽能電池片的載體,硅片質量的好壞直接決定了太陽能電池片轉換效率的高低,太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現光能到電能的轉換,而擴散爐即為制造太陽能電池PN結的專用設備。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴散一般用三氯氧磷液態源作為擴散源。把P型硅片放在管式擴散爐的石英容器內,在850---900 攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器,通過三氯氧磷和硅片進行反應,得到磷原子。經過一定時間,磷原子從四周進入硅片的表面層,并且通過硅原子之間的空隙向硅片內部滲透擴散,形成了N型半導體和P型半導體的交界面,也就是PN結。
在退火工藝中,需要將雙片的硅片分為單片,但是在分片過程中,由于片與片之間會產生負壓,因此,在分片的過程中容易造成劃痕,為避免劃痕的產生,繼續生產一種能夠消除兩個硅片之間負壓的機構。
實用新型內容
本申請要解決的技術問題是提供一種硅片的分離機構。
為了解決上述技術問題,本申請提供了一種硅片的分離機構,所述的分離機構包括第一安裝架,所述的第一安裝架的上端設置有第一吹氣組件,所述的第一吹氣組件包括第一滑桿、能夠沿所述的第一滑桿滑動的第一滑動塊、驅動所述的第一滑動塊沿所述的第一滑桿滑動的第一驅動汽缸,所述的第一滑動塊上固定有一第一安裝板,所述的第一安裝板上設置有至少一個第一風刀。
優選地,所述的分離機構還包括第二安裝架,所述的第二安裝架的上端設置有第二吹氣組件,所述的第一吹氣組件和第二吹氣組件相對設置,分別位于待分離硅片的兩側。
優選地,所述的第二安裝架的上端設置有第二吹氣組件,所述的第二吹氣組件包括第二滑桿、能夠沿所述的第二滑桿滑動的第二滑動塊、驅動所述的第二滑動塊沿所述的第二滑桿滑動的第二驅動汽缸,所述的第二滑動塊上固定有一第二安裝板,所述的第二安裝板上設置有至少一個第二風刀。
優選地,所述的第一滑桿與所述的第二滑桿相互平行設置,且所述的第一滑桿和第二滑桿沿水平方向設置。
優選地,所述的第一安裝架上還設置有一升降裝置,所述的第一吹氣組件安裝在所述的升降裝置上,所述的升降裝置用于驅動所述的第一吹氣組件在上下移動。該升降機構的作用為,當硅片分離完成后,升降機構控制吹氣組件下降,起到避讓作用,使硅片能夠順利移動至下一個工位。
優選地,所述的升降裝置為一升降汽缸,所述的汽缸包括一驅動桿,所述的第一吹氣組件固定在所述的驅動桿的上端部。
本申請的一種硅片分離機構,具有可移動的風刀,吹向硅片之間,消除硅片之間的負壓,避免硅片分片過程中產生的劃痕。
附圖說明
圖1是一種硅片分離機構的結構示意圖。
其中:11、第一安裝架;12、升降裝置;13、第一吹氣組件;14、第一滑動塊;15、第一滑桿;16、第一安裝板;17、第一風刀;21、第二安裝架;23、第二吹氣組件;25、第二滑桿;26、第二安裝板;27、第二風刀。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本申請作進一步說明,以使本領域的技術人員可以更好地理解本申請并能予以實施,但所舉實施例不作為對本申請的限定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





