[實用新型]一種抗環境光干擾的TOF 3D深度圖像傳感器有效
| 申請號: | 201820712727.6 | 申請日: | 2018-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN208314204U | 公開(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發明(設計)人: | 孫向明;郭迪;肖樂;高超嵩;康慧麗 | 申請(專利權)人: | 孫向明 |
| 主分類號: | G01S17/08 | 分類號: | G01S17/08;G01S7/481;H01L27/146 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 楊曉燕 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 偏置晶體管 電流補償電路 光電二極管 采樣電容 積分電路 抗環境光 深度圖像 像素單元 傳感器 采樣開關 像素陣列 晶圓級 本實用新型 讀出電路 一端連接 一端設置 譯碼電路 源極連接 柵極連接 窄帶濾光 環境光 增透膜 鍍膜 減小 漏極 讀出 外圍 增設 行列 | ||
一種抗環境光干擾的TOF 3D深度圖像傳感器,包括像素陣列、行列譯碼電路和外圍讀出模塊,像素陣列由多個像素單元構成,每個像素單元包括光電二極管PD、積分電路和讀出電路,還包括增設在每個像素單元上的電流補償電路,所述電流補償電路包括采樣電容Cs、偏置晶體管M1和采樣開關SW,采樣開關SW的一端設置在光電二極管PD與積分電路之間、另一端連接采樣電容Cs的一端及偏置晶體管M1的柵極連接,采樣電容Cs的另一端與偏置晶體管M1的源極連接,偏置晶體管M1的漏極連接在光電二極管PD與積分電路之間。TOF3D深度圖像傳感器外還鍍有晶圓級鍍窄帶濾光材料和增透膜。本實用新型增加電流補償電路來減小環境光的干擾,采用晶圓級鍍膜進一步實現抗環境光干擾。
技術領域
本實用新型涉及圖像傳感領域,具體涉及一種抗環境光干擾的TOF 3D深度圖像傳感器。
背景技術
TOF 3D深度圖像傳感器是利用時間飛行時間技術來測量場景的深度信息,通過給目標連續發送光脈沖信號,像素傳感器接收目標物體返回的光信號,計算光脈沖信號飛行時間來獲得目標物體的距離。發送的光脈沖信號一般為850nm的近紅外光,然而TOF 3D圖像傳感器對周圍環境光(如太陽光、照明光等)極為敏感,實際情況下紅外濾光層不能完全濾除環境光,仍有部分環境光折射到高阻外延層,產生光電流,對TOF 3D深度圖像傳感器的動態范圍產生影響,容易飽和,抗環境光性能有待提高。
發明內容
本實用新型要解決的技術問題是,針對現有深度圖像傳感器存在的上述不足,提供一種抗環境光干擾的TOF 3D深度圖像傳感器,增加電流補償電路來減小環境光的干擾,提高TOF 3D深度圖像傳感器的抗環境光性能;采用晶圓級鍍膜增加近紅外光的穿透強度,減小環境光影響,進一步提高TOF 3D深度圖像傳感器的抗環境光性能。
本實用新型為解決上述技術問題所采用的技術方案是:
一種抗環境光干擾的TOF 3D深度圖像傳感器,包括像素陣列、行列譯碼電路和外圍讀出模塊,像素陣列由多個像素單元構成,每個像素單元包括光電二極管PD、積分電路和讀出電路,還包括增設在每個像素單元上的電流補償電路,所述電流補償電路包括采樣電容Cs、偏置晶體管M1和采樣開關SW,采樣開關SW的一端設置在光電二極管PD與積分電路之間、另一端連接采樣電容Cs的一端及偏置晶體管M1的柵極連接,采樣電容Cs的另一端與偏置晶體管M1的源極連接,偏置晶體管M1的漏極連接在光電二極管PD與積分電路之間。
按上述方案,所述TOF 3D深度圖像傳感器外還鍍有一層晶圓級鍍窄帶濾光材料(作為紅外濾光層)。
按上述方案,所述TOF 3D深度圖像傳感器緊接著窄帶濾光材料外還鍍有一層增透膜,增透膜厚度等于近紅外光在增透膜介質中波長的四分之一。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果:
1、在TOF 3D深度圖像傳感器的像素單元增加電流補償電路來減小環境光的干擾,提高 TOF 3D深度圖像傳感器的抗環境光性能;
2、采用晶圓級鍍膜,在晶圓制造后鍍窄帶濾光材料和增透膜,增加850nm近紅外光的穿透強度,同時濾除環境光,只允許信號光穿透,進一步實現抗環境光干擾。
附圖說明
圖1為本實用新型TOF 3D深度圖像傳感器及其像素單元電路結構示意圖;
圖2為本實用新型TOF 3D深度圖像傳感器的部分橫截面圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型技術方案進行詳細的描述。
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