[實(shí)用新型]物理氣相沉積反應(yīng)室的上蓋自動對正結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820700904.9
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN208151471U
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳英信;宋媛媛;周偉權(quán);邱新智;黃裕鴻;彭奎彰
• 申請（專利權(quán)）人: 天虹科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113
• 代理人: 何為;李宇

1.一種物理氣相沉積反應(yīng)室的上蓋自動對正結(jié)構(gòu)，包括一腔體和一上蓋，其特征在于：

所述腔體具有一第一接觸面，內(nèi)部具有金屬材質(zhì)的一防著板；

所述上蓋可翻蓋地結(jié)合在所述腔體上，該上蓋具有供與該第一接觸面相對應(yīng)蓋合接觸的一第二接觸面，該上蓋上結(jié)合一靶材；

多數(shù)半球形凹槽設(shè)于該第一接觸面上；以及

多數(shù)半球形凸塊設(shè)于該第二接觸面上，當(dāng)該上蓋向下蓋合于該腔體上時，該多數(shù)半球形凸塊分別自動滑嵌于該多數(shù)半球形凹槽之中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理氣相沉積反應(yīng)室的上蓋自動對正結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多數(shù)半球形凹槽的槽口緣具有一用于導(dǎo)引半球形凸塊嵌入的圓弧導(dǎo)引角。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理氣相沉積反應(yīng)室的上蓋自動對正結(jié)構(gòu)，其特征在于，相對應(yīng)的多數(shù)半球形凹槽與多數(shù)半球形凸塊的數(shù)量分別為3個，且分別設(shè)于該第一接觸面與該第二接觸面的其中3個角落處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理氣相沉積反應(yīng)室的上蓋自動對正結(jié)構(gòu)，其特征在于，相對應(yīng)的多數(shù)半球形凹槽與多數(shù)半球形凸塊的數(shù)量分別為2個，且分別設(shè)于該第一接觸面與該第二接觸面對角線的2個角落處。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理氣相沉積反應(yīng)室的上蓋自動對正結(jié)構(gòu)，其特征在于，相對應(yīng)的多數(shù)半球形凹槽與多數(shù)半球形凸塊的數(shù)量分別為4個，且分別設(shè)于該第一接觸面與該第二接觸面的4個角落處。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理氣相沉積反應(yīng)室的上蓋自動對正結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上蓋利用一力臂將其樞接在該腔體上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理氣相沉積反應(yīng)室的上蓋自動對正結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括多數(shù)定位槽件及多數(shù)定位塊件，該多數(shù)定位槽件分別結(jié)合于該腔體的第一接觸面上，而該多數(shù)半球形凹槽則分別設(shè)于該多數(shù)定位槽件上，該多數(shù)定位塊件分別結(jié)合于該上蓋的第二接觸面上，而該多數(shù)半球形凸塊則分別設(shè)于該多數(shù)定位塊件上。