[實用新型]半導體元件有效
| 申請號： | 201820699206.1 | 申請日： | 2018-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN208173596U | 公開（公告）日： | 2018-11-30 |
| 發明（設計）人： | 蔡依蕓;陳志宏;陳勁甫 | 申請（專利權）人： | 力祥半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 羅英;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延層 介電層 肖特基 半導體元件 接觸窗 襯底 本實用新型 導電型 源區 金氧半場效晶體管 肖特基二極管 高崩潰電壓 金屬層配置 功率損失 順向偏壓 金屬層 有效地 接面 配置 整合 穿過 延伸 | ||
1.一種半導體元件，其特征在于，包括：
具有第一導電型的襯底，定義有有源區與肖特基區，其中所述肖特基區與所述有源區相鄰；
具有所述第一導電型的外延層，配置于所述襯底上；
介電層，配置于所述外延層上；
多個第一接觸窗，位于所述肖特基區，且穿過所述介電層并延伸至所述外延層中；以及
金屬層，配置于所述介電層上，通過所述多個第一接觸窗與所述外延層形成肖特基接面。
2.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，還包括：
具有第二導電型的主體區，配置于所述有源區的所述外延層中；
第二接觸窗，位于所述有源區，且穿過所述介電層并延伸至所述主體區；以及
具有所述第一導電型的第一摻雜區，配置于所述主體區中且環繞所述第二接觸窗的側壁。
3.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，還包括：
具有所述第二導電型的第二摻雜區，其配置于所述主體區中且環繞所述第二接觸窗的底部。
4.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，所述第一接觸窗的深寬比大于所述第二接觸窗的深寬比。
5.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，所述第一接觸窗的深寬比為所述第二接觸窗的深寬比的1.5倍至3.7倍之間。
6.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，還包括絕緣層，其配置于所述肖特基區的所述外延層與所述介電層之間，且環繞所述多個第一接觸窗的側壁。
7.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，所述有源區被切割成多個子區，且所述肖特基區配置于所述多個子區之間。
8.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，所述肖特基區圍繞所述有源區。
9.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，所述襯底還定義有終端區，且所述肖特基區相鄰所述有源區與所述終端區。
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