[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201820698915.8
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN209434177U
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 吳澄瑋
• 申請（專利權）人: 吳澄瑋
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司 11408
• 代理人: 林柳岑;賀亮

揭示一種半導體器件。所述半導體器件包括重分布結構、處理器芯片和金屬柱。所述金屬柱具有第一端和第二端。所述金屬柱的第一端連接到所述重分布結構。所述第一端具有第一寬度。所述第二端具有第二寬度。所述金屬柱具有腰部寬度。所述第一寬度大于所述腰部寬度。所述第二寬度大于所述腰部寬度。所述金屬柱具有一側表面。所述側表面向內彎曲或向外彎曲。

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種晶圓級芯片尺寸封裝(waferlevel chip scale packages(WLCSP))。

背景技術

在半導體產業中，芯片(die)內的集成密度成長迅速。芯片包括大量的主動與被動電子器件，因此可在所述芯片中執行多種功能。可在硅晶圓上通過半導體制程來行程所述電子器件。在完成所述電子器件的制程后，可將所述晶圓分離成多個芯片。之后對每一芯片進行封裝處理，進而在所述芯片外形成保護性封裝。所述芯片封裝也可作為芯片和印刷電路板間的連接介面。積體電路的常見應用包括行動電話系統、電視系統、個人電腦系統與網路系統。

已發展出多種封裝類型，例如雙列直插管腳封裝(DIP)、四方形平面封裝(QFP)、球柵陣列(BGA)及晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)。DIP在兩平行側邊上有連接管腳。DIP通常使用通孔安裝或插座，以供放置于印刷電路板上。DIP通常包括填充于金屬引線框架的絕緣材料。

QFP通常會有翅狀引線由所述封裝的四周延伸。QFP的接點只能位于所述封裝的周邊區域，因此其管腳數目受限。BGA可使用整個表面以形成接點陣列，而使得其能夠提供更高的球數。所述接點陣和所述芯片間的長度較短，這對高速信號傳輸更為有利。WLCSP的封裝器件尺寸和芯片尺寸幾乎相等。WLCSP通常小于BGA封裝。但是，現存的WLCSP的結構形狀不佳，造成信號完整性(integrity)以及結構穩定性不好。所以，業界非常需要新的WLCSP，來達到較佳的信號完整性以及結構穩定性。

實用新型內容

發明人在觀察到上述的技術問題后，提出了本實用新型，以解決上述的一個或多個技術問題。

本實用新型的一個目的在于提供一種半導體器件，其金屬柱兩端有較大的連接區域，可達到較佳的信號完整性以及結構穩定性。

本實用新型的另一個目的是提供一種半導體器件，其金屬柱能夠通過焊料凸塊連接到DRAM模塊，可提供更好的擴充性。

根據本實用新型一態樣，揭示一種半導體器件。所述半導體器件包括重分布結構、處理器芯片以及金屬柱。所述處理器芯片具有有源側和背側。所述有源側朝向第一方向。所述處理器芯片的有源側連接到所述重分布結構。

所述金屬柱具有第一端、第二端和腰部。所述金屬柱的第一端連接到所述重分布結構。所述第一端朝向所述第一方向。所述第一端具有第一寬度。所述第二端具有第二寬度。所述腰部具有腰部寬度。所述第一寬度大于所述腰部寬度。所述第二寬度大于所述腰部寬度。所述金屬柱具有側表面。所述側表面向內彎曲。

根據本實用新型另一態樣，揭示一種半導體器件。所述半導體器件包括重分布結構、處理器芯片以及金屬柱。所述處理器芯片具有有源側和背側。所述有源側朝向第一方向。所述處理器芯片的有源側連接到所述重分布結構。

所述金屬柱具有第一端、第二端及腰部。所述金屬柱的第一端連接到所述重分布結構。所述第一端朝向所述第一方向。所述第一端具有第一寬度。所述第二端具有第二寬度。所述腰部具有腰部寬度。所述第一寬度大于所述第二寬度。所述第二寬度大于所述腰部寬度。所述金屬柱具有側表面。所述側表面向內彎曲。

相比于現有技術，本實用新型的技術方案具備以下有益效果：金屬柱兩端有較大的連接區域，可達到較佳的信號完整性以及結構穩定性。金屬柱能夠通過焊料凸塊連接到DRAM模塊，可提供更好的擴充性。

附圖說明

附圖1是半導體器件一實施方式的示意圖；