[實用新型]具有共享柵極的像素結構

有效

• 申請號: 201820681993.7
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN208126072U
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 吳哲耀;周凱茹;江宜達
• 申請（專利權）人: 凌巨科技股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨;侯奇慧

1.一種具有共享柵極的像素結構，其特征在于，包含：

一第一像素，其具有一第一控制開關及一主控制開關，該第一控制開關電性連接該主控制開關，并通過該主控制開關選擇性接收外部電壓，該主控制開關再將該外部電壓傳輸至該第一控制開關，并再通過該第一控制開關選擇性接收該外部電壓，以避免傳輸至該第一像素進行充、放電的該外部電壓產生壓降；以及

一第二像素，其具有一第二控制開關，該第二像素通過該第二控制開關電性連接該主控制開關，以選擇性接收該主控制開關所傳輸的該外部電壓，以避免傳輸至該第二像素進行充、放電的該外部電壓產生壓降。

2.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第一像素與該第二像素的柵極結構以該主控制開關為中線而呈現軸對稱。

3.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第一像素更包含：

一第一接地元件；

一第一儲存電容，其電性連接該第一接地元件及該第一控制開關；及

一第一液晶電容，其電性連接該第一接地元件、該第一儲存電容及該第一控制開關，通過該第一控制開關對該第一儲存電容及該第一液晶電容的充、放電進行控制。

4.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第二像素更包含：

一第二接地元件；

一第二儲存電容，其電性連接該第二接地元件及該第二控制開關；及

一第二液晶電容，其電性連接該第二接地元件、該第二儲存電容及該第二控制開關，通過該第二控制開關對該第二儲存電容及該第二液晶電容的充、放電進行控制。

5.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第一控制開關、該第二控制開關及該主控制開關為晶體管。

6.如權利要求5所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第一控制開關、該第二控制開關及該主控制開關通過柵極接收信號，以進行開或關的控制。

7.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第一像素的該第一控制開關及該主控制開關與該第二像素的該第二控制開關應用于非晶硅制程。

8.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第一像素的尺寸大于、小于或等于該第二像素。

9.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第一像素及該第二像素的柵極的形狀為水平型、L型、J型或指叉型。

10.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第一像素的柵極的通道長度為1～10μm，通道寬度為1～300μm。

11.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第二像素的柵極的通道長度為1～10μm，通道寬度為1～300μm。

12.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第一像素結合該第二像素應用在穿透區及反射區獨立的像素結構、穿透區被反射區包圍的像素結構、微穿透型態反射區間隙的像素結構或透明電極大于反射電極的像素結構。

13.如權利要求1所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，該第一控制開關、該第二控制開關及該主控制開關各自更包含一柵極電極、至少一源極/漏極電極及一半導體電極，該半導體電極設置于該柵極電極上，該至少一源極/漏極電極設置于該半導體電極及該柵極電極上，該第一控制開關、該第二控制開關分別通過該源極/漏極電極與該主控制開關的該源極/漏極電極相連接。

14.如權利要求13所述的具有共享柵極的像素結構，其特征在于，更包含一通道結構，其設置于任一該源極/漏極電極上。