[實(shí)用新型]VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820656923.6
• 申請(qǐng)日: 2018-05-04
• 公開（公告）號(hào): CN208045476U
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周理明;王毅;趙成;孫越;張孔欣;韓亞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31
• 代理公司: 揚(yáng)州市蘇為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32283
• 代理人: 周全;葛軍

1.VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括矩形基板，所述基板的頂面中間設(shè)有矩形芯片粘接區(qū)，基板頂面四角端分別設(shè)有第一金屬凸柱組，基板頂面的芯片粘接區(qū)四角外側(cè)分別設(shè)有第二金屬凸柱組，基板底面設(shè)有第三金屬凸柱組和第四金屬凸柱組，所述基板和第一~四金屬凸柱組上覆蓋有塑封體；

所述第一金屬凸柱組位于第三金屬凸柱組的正上方，第二金屬凸柱組位于第四金屬凸柱組的正上方；

第一~四金屬凸柱組包括若干金屬凸柱，其中，兩兩金屬凸柱之間設(shè)有間距。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬凸柱組中的若干金屬凸柱排布成若干金屬凸柱列一，若干金屬凸柱列一依次排列且長度逐漸增加，兩兩金屬凸柱列一之間的間距相同；

若干金屬凸柱列一構(gòu)成等腰直角三角形，所述第一金屬凸柱組的兩直角邊分別平行于基板的角端兩邊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬凸柱組中的若干金屬凸柱排布成若干金屬凸柱列二，若干金屬凸柱二列依次排列且長度逐漸增加，兩兩金屬凸柱列二之間的間距相同；

若干金屬凸柱列二構(gòu)成等腰直角三角形，所述第二金屬凸柱組的兩直角邊分別平行于芯片粘接區(qū)的角端兩邊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三金屬凸柱組中的若干金屬凸柱形成至少兩個(gè)矩形金屬凸柱環(huán)一，各個(gè)矩形金屬凸柱環(huán)一的四邊分別平行于基板的四邊，各個(gè)矩形金屬凸柱環(huán)一從內(nèi)向外逐層嵌套，相鄰矩形金屬凸柱環(huán)一之間的間距相同；

所述第四金屬凸柱組中的若干金屬凸柱形成至少兩個(gè)矩形金屬凸柱環(huán)二，各個(gè)矩形金屬凸柱環(huán)二的四邊分別平行于芯片粘接區(qū)的四邊，各個(gè)矩形金屬凸柱環(huán)二從內(nèi)向外逐層嵌套，相鄰矩形金屬凸柱環(huán)二之間的間距相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板的頂面四角端第一金屬凸柱組中的金屬凸柱的高度為覆蓋基板頂面的塑封體厚度的1/3～1/2。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板的芯片粘接區(qū)的四角外側(cè)第二金屬凸柱組中的金屬凸柱的高度不高于粘接在基板上的芯片頂面的高度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板的底面的第三、四金屬凸柱組中的金屬凸柱的高度為覆蓋基板底面的塑封體的厚度的1/4～1/3。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬凸柱為圓柱體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬凸柱的直徑與高度的比值小于1/2。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VDMOS功率器件塑封防分層翹曲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬凸柱的材料與基板的材料相同，其材料為銅或銅合金。