[實(shí)用新型]超聲換能器及超聲成像系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820651731.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-05-03 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN209153739U | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李培洋;李章劍;邵維維;崔崤峣 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | A61B8/00 | 分類(lèi)號(hào)： | A61B8/00 |
| 代理公司： | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人： | 吳黎 |
| 地址： | 215163 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓電層 匹配層 超聲換能器 超聲成像系統(tǒng) 背襯層 低頻超聲換能器 本實(shí)用新型 穿透 貫通 延伸 | ||
1.一種超聲換能器，其特征在于，包括：
背襯層；
壓電層，設(shè)置在所述背襯層上；
匹配層，設(shè)置在所述壓電層上；以及
至少一個(gè)凹槽，設(shè)置在所述匹配層和所述壓電層中，所述凹槽在厚度方向上穿透所述匹配層且延伸至所述壓電層的至少一部分，并且所述凹槽在長(zhǎng)度方向上貫通所述匹配層和所述壓電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲換能器，其特征在于，所述凹槽的寬度為30～200微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲換能器，其特征在于，所述凹槽在所述壓電層內(nèi)延伸的深度范圍為1/5H至H，其中H為所述壓電層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲換能器，其特征在于，當(dāng)所述凹槽的數(shù)量為1時(shí)，所述凹槽的寬度為30～100微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超聲換能器，其特征在于，所述凹槽位于所述壓電層的寬度方向的正中位置，且所述凹槽在厚度方向上穿透所述匹配層以及所述壓電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲換能器，其特征在于，當(dāng)所述凹槽的數(shù)量大于等于2時(shí)，至少兩個(gè)凹槽在寬度方向上平行設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超聲換能器，其特征在于，所述至少兩個(gè)凹槽在寬度方向上均勻或者不均勻布設(shè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲換能器，其特征在于，當(dāng)所述凹槽的數(shù)量大于等于2時(shí)，至少兩個(gè)所述凹槽的深度相同或者不相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的超聲換能器，其特征在于，所述壓電層的材料為壓電陶瓷、壓電復(fù)合材料、壓電單晶或者薄膜材料。
10.一種超聲成像系統(tǒng)，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的超聲換能器。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所，未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820651731.6/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
