[實用新型]一種用于核磁共振陀螺儀的微小型集成化原子氣室有效
| 申請號: | 201820642124.3 | 申請日: | 2018-05-02 |
| 公開(公告)號: | CN208059898U | 公開(公告)日: | 2018-11-06 |
| 發明(設計)人: | 汪寶旭;朱明智;舒強;楊飛;鄧東閣 | 申請(專利權)人: | 中國工程物理研究院總體工程研究所 |
| 主分類號: | G01C19/60 | 分類號: | G01C19/60 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340 | 代理人: | 楊春 |
| 地址: | 621908*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣室頂板 核磁共振 室底板 陀螺儀 氣室 原子氣室 充氣管 密封連接 中心通孔 導流槽 導氣孔 過渡槽 集成化 微小型 底面 本實用新型 梯形臺結構 氣室底板 氣室腔體 傾斜側面 依次連通 反射面 矩形板 密封性 雙光路 組成件 壁厚 頂面 封堵 室腔 探測 | ||
本實用新型公開了一種用于核磁共振陀螺儀的微小型集成化原子氣室,包括充氣管、氣室基體、氣室頂板和氣室底板組成,氣室基體為梯形臺結構,其開設有中心通孔,其底面開設有導流槽和過渡槽,氣室基體的四個傾斜側面均為反射面,氣室頂板和氣室底板均為矩形板,氣室基體的頂面和底面分別密封連接氣室頂板和氣室底板,中心通孔由氣室頂板和氣室底板封堵并構成氣室腔體;氣室底板開設有與充氣管連接的導氣孔,充氣管、導氣孔、過渡槽、導流槽和氣室腔體依次連通。該原子室有利于核磁共振陀螺儀的小型化,組成件數量少,可將壁厚做的更厚,而且密封連接面也更大,提高了原子氣室的結構強度和密封性,核磁共振陀螺儀能夠實現雙光路探測。
技術領域
本實用新型屬于核磁共振陀螺儀技術領域,尤其涉及一種用于核磁共振陀螺儀的微小型集成化原子氣室。
背景技術
核磁共振陀螺儀是利用原子核的自旋磁矩在磁場中的進動實現對慣性物體角速度進行測量的一種固態陀螺儀,小型化核磁共振陀螺儀是新型陀螺儀的一個重要研究方向。原子氣室是封裝有核磁共振陀螺儀工作介質的密封玻璃容器,是核磁共振陀螺儀的核心敏感元件。原子氣室的制備質量將直接影響核磁共振陀螺儀的性能。傳統的原子氣室采用帶充氣管的立方體形薄壁玻璃容器,該類型的原子氣室采用厚度為0.5mm~1mm的玻璃平板通過光膠、鍵合或玻璃燒結等工藝組裝而成。傳統的原子氣室存在以下缺陷:
1)由于玻璃平板的壁厚較薄,且連接面的數量多、面積小,導致原子氣室的結構強度和密封性較差,在制備過程中容易出現破裂、透光面變形、高漏氣率等現象,進而造成原子氣室制備失敗或質量下降;
2)充氣管是連接在立方體原子氣室中一個面的中心位置,占用了原子氣室的透光面,使得原子氣室有兩個面均失去了通光能力,利用該類型的原子氣室在設計核磁共振陀螺儀時,難以實現雙探測光路布局設計;
3)該類型的原子氣室自身沒有反射面,在使用過程中,需要在外部安裝反射鏡,其未能實現和相關反射鏡的集成化設計,不利于核磁共振陀螺儀的小型化。
實用新型內容
本實用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種用于核磁共振陀螺儀的微小型集成化原子氣室。
本實用新型通過以下技術方案來實現上述目的:
一種用于核磁共振陀螺儀的微小型集成化原子氣室,包括氣室殼體和充氣管;
所述氣室殼體由氣室基體、氣室頂板和氣室底板組成;
所述氣室基體為梯形臺結構,其中心位置開設有貫穿頂面和底面的中心通孔,其底面開設有條形的導流槽和圓形的過渡槽,所述過渡槽、所述導流槽和所述中心通孔依次連接,所述過渡槽位于所述氣室基體底面的其中一角處,所述氣室基體的四個傾斜側面均為反射面;
所述氣室頂板和所述氣室底板均為矩形板,所述氣室頂板密封連接在所述氣室基體的頂面,所述氣室底板密封連接在所述氣室基體的底面,所述中心通孔由所述氣室頂板和所述氣室底板封堵并構成氣室腔體;
所述氣室底板的其中一角處開設有與所述過渡槽相對應的導氣孔,所述充氣管連接在所述導氣孔處,所述充氣管、所述導氣孔、所述過渡槽、所述導流槽和所述氣室腔體依次連通。
作為本專利選擇的一種技術方案,所述中心通孔為圓孔或者矩形孔。
作為本專利選擇的一種技術方案,所述導流槽與所述過渡槽的槽深相等,所述導流槽的槽寬小于所述過渡槽的直徑,所述導氣孔的直徑大于或等于所述過渡槽的直徑,所述充氣管的直徑大于或等于所述導氣孔的直徑。
作為本專利選擇的一種技術方案,所述氣室基體的四個傾斜側面均進行了鍍膜處理。
作為本專利選擇的一種技術方案,所述氣室基體底部的四角均設計為倒角結構,所述氣室頂板的四邊設計為倒角結構,所述氣室底板的四角均設計為倒角結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國工程物理研究院總體工程研究所,未經中國工程物理研究院總體工程研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820642124.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





