[實用新型]一種納米柱紫外LED有效

申請號：	201820629471.2	申請日：	2018-04-28
公開（公告）號：	CN208157443U	公開（公告）日：	2018-11-27
發明（設計）人：	李國強;李媛;王文樑;陽志超	申請（專利權）人：	華南理工大學
主分類號：	H01L33/12	分類號：	H01L33/12;H01L33/00;B82Y40/00
代理公司：	廣州市華學知識產權代理有限公司 44245	代理人：	陳智英
地址：	510640 廣***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	納米柱紫外LED 本實用新型量子阱復雜步驟量子限制掩模版襯底制備半導體釋放制作
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【權利要求書】：

1.一種納米柱紫外LED，其特征在于：由下至上依次包括襯底、預鋪Al層、AlN層、AlGaN層、u-GaN層、n-GaN層、量子阱納米柱以及p-GaN納米柱；所述量子阱納米柱為InGaN/GaN-1/AlGaN/GaN-2量子阱納米柱，GaN-1和GaN-2為壘層，InGaN為阱層，GaN-1和GaN-2都是GaN層。

2.根據權利要求1所述納米柱紫外LED，其特征在于：量子阱層納米柱為InGaN/GaN-1/AlGaN/GaN-2量子阱納米柱，其中GaN-1和GaN-2的厚度為3-7nm，AlGaN厚度為1-3nm，InGaN厚度為2-5nm；量子阱的周期為5-10個周期，量子阱納米柱的第一層與最后一層均為GaN壘層。

3.根據權利要求1所述納米柱紫外LED，其特征在于：預鋪Al層的厚度為1-5nm，AlN層的厚度為100-300nm，AlGaN層的厚度為300-900nm，u-GaN層的厚度為500-1000nm，n-GaN層的厚度為1000-3000nm；p-GaN納米柱的厚度為200-400nm。

4.根據權利要求1所述納米柱紫外LED，其特征在于：所述襯底為Si襯底。

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