[實用新型]一種銅銦鎵硒太陽能電池組件有效
| 申請號： | 201820628805.4 | 申請日： | 2018-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN208570640U | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 趙樹利;楊立紅;葉亞寬;王磊 | 申請（專利權）人： | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0749 | 分類號： | H01L31/0749;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天馳君泰律師事務所 11592 | 代理人： | 孟銳 |
| 地址： | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銅銦鎵硒太陽能電池 透明導電層 石墨烯基復合薄膜 本實用新型 光吸收層 背電極 窗口層 高阻層 緩沖層 基板 導電性 石墨烯基 制備過程 轉換效率 電阻率 透光率 透光性 薄膜 太陽能 引入 | ||
1.一種銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，包括：
基板；
背電極，設置在所述基板上；
光吸收層，設置在所述背電極上；
緩沖層：設置在所述光吸收層上；
窗口層，設置在所述緩沖層上；
其中，所述窗口層包括高阻層和透明導電層，所述透明導電層包括設置在高阻層上的石墨烯基復合薄膜。
2.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，所述石墨烯基復合薄膜的厚度為0～200nm。
3.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，所述石墨烯基復合薄膜包括：
石墨烯薄膜；以及
納米線，設置在石墨烯薄膜上。
4.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，包括：單層或少層石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的厚度為0～1nm。
5.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，所述透明導電層還包括AZO層，AZO層的厚度是20～400nm。
6.根據權利要求3所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，所述納米線形成網絡結構。
7.根據權利要求6所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，所述納米線包括非金屬納米線。
8.根據權利要求7所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，所述非金屬納米線包括碳納米管。
9.根據權利要求6所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，所述納米線包括至少一種金屬納米線。
10.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，還包括：封裝所述背電極、光吸收層、緩沖層和窗口層的EVA層，以及設置在所述EVA層上的玻璃層。
11.根據權利要求3所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，所述納米線設置在接近高阻層的一面。
12.根據權利要求3所述的銅銦鎵硒太陽能電池組件，其特征在于，所述納米線設置在遠離高阻層的一面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
