[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體器件及集成半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820617150.0
• 申請(qǐng)日: 2018-04-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208256642U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/495
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及集成半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：銅橋框架；引線框架；銅橋框架與所述引線框架之間設(shè)置有芯片，引線框架與芯片之間通過(guò)結(jié)合材連接，銅橋框架與芯片之間通過(guò)結(jié)合材連接，銅橋框架、芯片與引線框架通過(guò)塑封材料塑封在一起，銅橋框架背離芯片一側(cè)從塑封材料中露出，引線框架背離芯片一側(cè)從所述塑封材料中露出。這種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)由于銅橋框架背離芯片的一側(cè)從塑封材料中露出，引線框架背離芯片的一側(cè)從塑封材料中露出，從而加強(qiáng)了芯片的散熱，延長(zhǎng)了器件的使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及集成半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體是一種導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間的物質(zhì)，半導(dǎo)體器件是一種利用半導(dǎo)體材料制作而成的一種電子器件。通常用來(lái)制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵。

并且隨著半導(dǎo)體器件技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件一直在往高性能、高可靠性和小型化的方向發(fā)展。一般情況下，功率半導(dǎo)體分立器件大都采用TO系列封裝的封裝方式。而對(duì)于TO系列封裝的功率器件散熱問(wèn)題是首要需要解決的，因?yàn)楣β势骷纳釋⒅苯佑绊懼骷目煽啃约靶阅堋?/p>

對(duì)于上述問(wèn)題，目前功率器件一般采用焊線方式來(lái)實(shí)現(xiàn)電性連接，由于導(dǎo)線的截面積小長(zhǎng)度較長(zhǎng)導(dǎo)致阻抗增大，且隨著使用時(shí)間的延長(zhǎng)焊線可靠性也降低。有的芯片在封裝時(shí)是全部封裝在環(huán)氧樹(shù)脂里，這種情況下芯片的散熱只能由環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行散熱。另外傳統(tǒng)TO系列封裝的功率器件一般只是芯片下方的引線框架外露，芯片上方的由環(huán)氧樹(shù)脂塑封，這種情況下芯片的熱量一般只能通過(guò)引線框架單面散熱；

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體器件的散熱性很差，容易導(dǎo)致芯片壽命下降。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體器件及集成半導(dǎo)體器件，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體器件的散熱性很差，容易導(dǎo)致芯片壽命下降的問(wèn)題。

本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：

銅橋框架；

引線框架；

所述銅橋框架與所述引線框架之間設(shè)置有芯片，所述引線框架與所述芯片之間通過(guò)結(jié)合材連接，所述銅橋框架與所述芯片之間通過(guò)結(jié)合材連接，所述銅橋框架、所述芯片與所述引線框架通過(guò)塑封材料塑封在一起，所述銅橋框架背離所述芯片一側(cè)從所述塑封材料中露出，所述引線框架背離所述芯片一側(cè)從所述塑封材料中露出。

本實(shí)用新型半導(dǎo)體器件包括銅橋框架和引線框架，銅橋框架與引線框架之間設(shè)置有芯片，芯片與引線框架之間通過(guò)結(jié)合材連接，芯片與銅橋框架之間通過(guò)結(jié)合材連接，并且芯片、銅橋框架與引線框架通過(guò)塑封材料塑封在一起；銅橋框架背離芯片一側(cè)從塑封材料中露出，引線框架背離芯片一側(cè)從塑封材料中露出。這種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)由于銅橋框架背離芯片的一側(cè)從塑封材料中露出，引線框架背離芯片的一側(cè)從塑封材料中露出，從而加強(qiáng)了芯片的散熱，延長(zhǎng)了器件的使用壽命。

優(yōu)選的，所述銅橋框架具有第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤與所述芯片的功率電極連接，所述第二焊盤與所述芯片的柵極連接。

優(yōu)選的，所述第一焊盤具有彎折部，所述彎折部上方設(shè)置有用于與芯片焊接的凸起平臺(tái)，所述凸起平臺(tái)朝向所述彎折部還設(shè)置有用于定位結(jié)合材的凹槽。

優(yōu)選的，所述第二焊盤設(shè)置有與第一焊盤相對(duì)應(yīng)的彎折部。

優(yōu)選的，所述引線框架設(shè)置有用于與所述芯片連接的連接部。

優(yōu)選的，所述塑封材料是環(huán)氧樹(shù)脂。

優(yōu)選的，所述結(jié)合材的材料為錫膏。

優(yōu)選的，本實(shí)用新型還提供一種集成半導(dǎo)體器件，包括上述技術(shù)方案中提到的任一所述的半導(dǎo)體器件。

附圖說(shuō)明